石墨插层化合物能带计算的一种方法

本文提出一个比较简单的、自治的方法来处理复杂的石墨插层化合物.借助于计算机重整化群的思想,只考虑插入物的某些分子轨道和石墨的相互作用,从而使整个计算获得简化.将插入物看成一个“赝原子”,然后用自治的EHT方法来计算其能带结构.以FeCl_3和AsF_5插入石墨为例作了计算,得到了相应的费米面,并预计有存在电荷密度波的可能性.所得结果与实验符合较好.     

氢在金刚石表面的吸附

运用集团模型和自洽EHT方法研究氢原子在金刚石表面的吸附.计算表明,氢在金刚石表面倾向于顶位吸附,且根据吸附后电子态的变化,可以对金刚石表面其禁带中是否存在本征表面态这一理论与实验的不一致给予一定的解释.     

Ni在Si(111)和Si(100)面上吸附的理论研究

采用集团模型和分立变分的 Xα方法研究 Ni原子在Si(111)顶位和三度开位吸附,以及在Si(100)四度位和桥位吸附的可能性,由体系的总能量最低确定稳定吸附位置,并在稳定吸附位讨论了Ni-Si成键特性和态密度.结果表明,只有当Si(111)表面弛豫情况下Ni原子才能沿[111]方向进入表面以下,但Ni原子也能沿[100]方向进入Si表面层.计算所得态密度与实验符合较好.比较所得的态密度和 NiSi_2/Si(111)的界面态密度表明位于表面下的Ni可能是生长NiSi_2的先兆.     

GaAs(110)面氧吸附的研究

本文用集团模型和电荷自治的EHT方法研究出在GaAs(110)面的吸附.对几种不同模型计算了吸附的结合能,定域态密度,和芯电子的化学位移,通过与实验对比得出,氧在表面As顶吸附的构型最为稳定.     

新构思硅红外探测器

在Ｓｉ衬底上用ＭＢＥ方法进行ｎ型与ｐ型δ掺杂，将Ｓｉ的能带调制成锯齿型结构，产生Ｓｉ的带间跃迁．控制掺杂浓度与周期，来控制电子（空穴）跃迁的有效能隙，可望制成８－１２μｍ波长的Ｓｉ超晶格带间跃迁型红外探测器．     

Ce在Si(111)面上吸附的EHT研究方法

采用集团模型和半经验的EHT方法研究Ce原子在Si(111)顶位和三度位吸附,由体系总能量最低确定了稳定的吸附位置,并在最稳定的三度吸附位讨论了Ce-Si成键特性和状态密度.结果表明,Ce原子的5d和4f轨道与Si原子的3p轨道相互作用,在费米能级以下形成了混杂的能级,同时5d和4f轨道的能量降低,获得少量6s轨道的电荷,而整个Ce原子失去约0.8个电子.计算所得结果及态密度在吸附前后的变化与第一性原理的DVM计算符合较好.     

石墨夹层LiC_6的电子态

本文采用了一个集团模型.用电荷自洽的EHT方法计算集团的总能量,根据能量极小值可以定出LiC_6的最稳定的几何构形.还计算了 Li和C之间的电荷转移和集团的状态密度,得出LiC_6是施主型的化合物,具有金属性质.从自洽的电荷转移,可以得到修正的电离势,用此作为参数可以直接用紧束缚方法来计算能带.本文还用格林函数方法定性地分析了Li和C对电子态的贡献.     

碱金属/Si(001)2×1表面原子和电子结构的理论研究

<正> 由于碱金属/硅的界面特性和其他金属/硅的界面性质有很大差异(如除Li外它们不形成硅化物,对硅的氧化、氮化有催化作用等等),近年来这类体系的研究十分活跃。K/Si(001)2×1面上是否形成导电准一维链的问题,则更是一个有争议的课题。