南京固体器件研究所召开第十一次科研成果鉴定会——31项科研成果通过鉴定

<正> 南京固体器件研究所于1983年12月下旬在南京召开了第十一次科研成果鉴定会。来自全国55个单位的90余名代表出席了会议。代表们听取了提请鉴定报告,并抽测实物样品、分组进行讨论,最后提交给各鉴定委员会审议,31项成果全部通过了鉴定。其中有9项通过部级鉴定,5项通过局级鉴定,2项通过省级鉴定,15项通过所级鉴定。这些科研成果中包括有达到国际当前产品水平的12GHz 1.5dB的GaAs FET,0.8～1.7μm InGaAs三元材料长波长PIN光探测器等。代表们对这些电视卫星接收和光通讯用的高水平器件给予了高度的评价。许多项目具有推广应用的广阔前景,还有一些项目具有一定的创造性。 现将通过部、局级和省级鉴定的项目介绍如下:     

8GHz广播电视接力系统无人值守中继机检测会在宁召开

<正> 南京固体器件研究所研制的8GHz广播电视接力系统无人值守中继检测会于1984年9月5日至9日在江苏省南京市召开。会议由广播电视部技术局、电子工业部元器件工业管理局、通信广播电视工业管理局和江苏省电子工业厅联合主持。河北、浙江、贵州、四川和江苏等省广播电视厅、广播电视部设计院、北京广播学院、南京电子技术研究所、南京无线电厂、南京长江机器厂、苏州江南无线电厂、南京固体器件研究所等16个单位的34名代表出席了会议。     

南京电子器件研究所召开第二十次科研成果鉴定会

<正>由南京固体器件研究所和南京钟山电子技术研究所组建而成的南京电子器件研究所,于1985年12月在南京召开了第20次科研成果鉴定会.来自上级领导机关、大专院校、有关厂、所、使用单位和新闻单位的代表共145人出席了会议,专家和同行们对该所提请鉴定成果的技术水平给予了高度的评价.南京电子器件研究所自1985年初组建以来,通过努力,克服了因繁重的基建任务和管理机构调整给科研生产所带来的困难,在短短一年时间里逐步使科研生产走上正轨.在这次鉴定会上,涉及微波半导体和光电两个专业范围的43项成果分别通过了部、局级和所级鉴定,其中通过部局级鉴定的有15项(达到或接近国外八十年代先进水平的有10项),取得了较大的成绩.现将部分项目介绍如下:     

南京固体器件研究所一九八四年科研新成果介绍

<正>南京固体器件研究所于一九八四年十二月进行了两次科研成果鉴定.十二月三日在南京召开了第十二次科研成果鉴定会.九项成果通过了电子工业部部级鉴定,八项成果通过了局级鉴定,另有十三项成果通过了所级鉴定.十二月二十六日在杭州召开了W0061型8千兆赫广播电视接力系统无人值守中继机鉴定会.该机通过了由电子工业部和广播电视部联合组织的部级定型鉴定.现将主要成果分别简介如下:     

氮化硅薄膜的等离子干法蚀刻

本文简述了干法腐蚀的现状、原理及其反应装置.给出了在圆筒型反应器中氮化硅薄膜的均匀刻蚀以及硅表面的平滑抛光的工艺条件,同时,也给出了在此工艺条件下,单晶硅、氮化硅、热生长二氧化硅、砷化镓以及光致抗蚀剂的腐蚀速率.对硅表面在高频场和等离子体轰击下表面性质的改变作了初步研究.并通过此工艺在制管中的成功应用,可看到它在降低成本,减少公害,以及进行微细加工方面所显示出来的优越性.目前,对实验结果和现象的分析尚处于定性的阶段.     

南京固体器件研究所1982年科研成果介绍

<正>南京固体器件研究所在国内有关单位的协作下,在一九八二年,进行了两次科研成果鉴定,现将主要项目介绍如下.第九次科研成果鉴定会于八月中旬召开,主要项目是:     

中国电子学会第二届毫米波亚毫米波学术年会在南京召开

<正>中国电子学会第二届毫米波亚毫米波学术年会于一九八三年十月二十七日在南京召开,历时四天.出席本届年会的有四十五个单位,近百名代表,发表论文八十余篇.真空电子学著名专家吴鸿适,中国电子学会常务理事沈宜春、电子学界老前辈单宗肃等同志参加了本届年会.毫米波亚毫米波技术涉及到的专业学科多,范围广,在国防、国民经济建设等方面起着愈来愈大的作用,尤其是在传输线、远红外激光、固体器件、电真空器件以及天文学、遥感等领域,毫米波亚毫米波技术近年来得到了较大的发展.本届年会的论文报告,在数量和质量上都超过了首届年会,这充分说明了毫米波亚毫米波技术的发展是非常迅速的.     

IGBT技术发展综述

绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展.概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计和制造方面的新进展.特别是宽禁带半导体材料SiC的异军突起,为IGBT技术开辟了一个新的发展空间.