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利用模拟软件MEDICI对碳化硅混合PiN/Schottky二极管(MPS)的输运机理及伏安特性进行了模拟.输运机理的模拟结果表明MPS的工作原理是正向肖特基起主要作用,而反向时PN结使漏电流大大减小.伏安特性的模拟结果表明MPS的正向压降小,电流密度大,在2V正向偏压下达10-5A/μm,反向漏电流小,击穿电压高(2000V左右),可以通过改变肖特基和PN结的面积比来调整MPS的性能,与硅MPS、碳化硅PN结以及碳化硅肖特基二极管相比具有明显的优势,是理想的功率整流器. 相似文献
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考虑了三维异质集成系统中不同衬底层对通孔产生的寄生效应,分别提出了应用于单个和一对差分异质互连通孔的宽频带等效电路模型。在所提出的模型中,Csub和Gsub分别表征衬底耦合效应,Lm、Cm和Gm分别表征两个通孔之间的耦合效应。通过验证,模型在150 GHz频带范围内都具有较高的精度。基于所提出的模型,对单个和一对差分互连通孔影响其电特性的结构参数进行了深入分析,为三维异质集成电路的设计提供了依据。 相似文献
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提出了一种改进的直接提取方法来提取InP HBT小信号等效电路中的模型参数,并将其成功地应用InP异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路。在所采用的模型中考虑了分布式基极-集电极电容效应。与其他直接参数提取方法相比,该方法从外围寄生元件到内部本征元件依次进行参数提取,提取过程较为清晰。除寄生参数外,其余所有的参数计算均未经过任何简化近似。该方法依赖于S参数的测量,所有等效电路参数直接从S参数数据中提取,而无需任何基于初始值的近似。在0.1 ~ 40 GHz的频率范围内,直接提取法在InP HBT上得到了成功的验证,并在整个频率范围内得到了较好的测量结果与计算结果的一致性。 相似文献
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We have investigated the temperature dependent interfacial and electrical characteristics of p-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors during atomic layer deposition(ALD) and annealing of HfO2 using the tetrakis(ethylmethyl) amino hafnium precursor. The leakage current decreases with the increase of the ALD temperature and the lowest current is obtained at 300℃ as a result of the Frenkel-Poole conduction induced leakage current being greatly weakened by the reduction of interfacial oxides at the higher temperature. Post deposition annealing(PDA) at 500℃ after ALD at 300℃ leads to the lowest leakage current compared with other annealing temperatures. A pronounced reduction in As oxides during PDA at 500℃ has been observed using X-ray photoelectron spectroscopy at the interface resulting in a proportional increase in Ga2O3. The increment of Ga2O3 after PDA depends on the amount of residual As oxides after ALD. Thus, the ALD temperature plays an important role in determining the high-k/GaAs interface condition. Meanwhile, an optimum PDA temperature is essential for obtaining good dielectric properties. 相似文献
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采用分子束外延设备(MBE),外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度,分别对比了材料二维电子气特性的变化,并在隔离层厚度为5nm时,获得了室温电子迁移率为20500cm~2/V·s,面电荷密度为2.0×1012/cm~2的InAs/AlSb二维电子气结构样品,为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据. 相似文献
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基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模型主要参数具有一定物理意义。C-V特性的模型模拟结果与实验数据的比较表明两者符合良好。该模型还与CAD工具的通用电容模型进行了比较,结果表明新模型具有更高的精度。 相似文献
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