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正Crossing Automation,Inc.是顶尖的半导体工厂和工具自动化产品设计厂商和制造商,当今最主要的半导体装置和设备公司均使用其产品。公司日前推出450 mm分类机,即Spartan 450。同时,公司宣布接到了另一顶尖半导体制造商的新型分类机订单。此平台计划于2012年第一季度发货。 相似文献
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正经过2010年60%的高速增长,IMS Research认为2011年的GaN LED市场趋于平缓,仅增长1%至87亿美金。主要原因有:·占据60%GaN LED营收的背光市场增长比预期缓慢。IMS Research预计2011年背光市场会下跌3%至54亿美金;而2010年的背光市场增长80%,尽管36%的增长是由于价格下降所致。 相似文献
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正目前功率半导体厂商开始由硅转向替代材料,更具体地说是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。业界采用在硅衬底和氮化铝缓冲层之上生长GaN的技术来降低成本。这使得设备厂商可以利用现有硅制程技术在衬底上生长PN结。GaN定价也从原先10-15倍于传统硅下降到更容易接受的水平。 相似文献
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科锐公司(CREE)日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec碳化硅(SiC)肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。 相似文献
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作为蜂窝基础设施RF功率器件市场的领导者,飞思卡尔也在利用自己新开发的高电压射频功率技术,结合经济高效的创新超模压塑料封装,将其射频功率解决方案扩展至工业、科学和医疗(ISM)市场。飞思卡尔推出了专为HF/VHF频带(10～450MHz)和2.45GHz ISM频带设计的晶体管,从而将其在技术和封装方面的优势延伸到ISM市场。客户能够利用这些器件开发出最经济、高效的等离子发生器和磁共振成像(MRI)等系统。 相似文献
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欧洲微电子研究中心(Interuniversity Microelectronics Cent。即IMEC)与其合作伙伴共同开发了在200mm硅芯片上生长GaN/AlGaN的技术。借助这项新技术,GaN MISHEMTs(metal-insulator semiconductor highelectron mobility transistors,无金属高电子迁移率晶体管)能够严格按照CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)的污染 相似文献
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随着中国高铁、地铁、动车、风力发电、光伏发电、电动/混合动力汽车等领域的快速发展,市场对IGBT及其模块的需求越来越大。据IHS iSuppli公司的研究,由于工业与消费领域的需求增长,中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场未 相似文献
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正道·康宁复合半导体方案公司于近日称己与美海军研究局签订了一份价值360万美元的合同,开发碳化硅半导体材料技术。据悉,作为第三代半导体材料的碳化硅对于宽能带隙设备的开发具有十分重要的意义,可用于支持包括先进雷达系统、基于手机的系统、混合电力车辆以 相似文献
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正全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件,它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管,组成 相似文献
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正据国外媒体近日报道,德国慕尼黑工业大学的科学家已经开发出一种方法,能以时间分辨石墨烯中超高速光电流的形成,测量其时间动态。此外,他们还发现石墨烯可以放射太赫兹辐射。石墨烯制成的光电探测器能非常快速地处 相似文献