GaAs/GaAlAs超晶格的光电流谱研究(英文)

The photocurrent (PC) spectroscopy of the GaAs/AlAs and GaAs/ AlGaAs superlattices (SLs) are studied by using a P-i-N photodiode structure in which the intrinsic regions are composed of SLs. The measurements were made at different temperatures ranging from 15K to 300K and with the application of transverse dc electric field. A sequence of exciton absorption peaks were observed and assigned according to the theoretical predictions based on the Kronig-Penney model calculations of sublevel energies in the coupled multiple quantum wells (MQWs). The SL structure parameters were checked by both the absolute peak positions and the heavy and light hole splittings. The quantum confined Stark effect of excitonic transitions in MQWs which is closely dependent on the barrier and well layer thicknesses was studied. The assignment of some forbidden transitions was proved by different ways. The PC spectroscopy was also measured by the excitation of linear polarized light in a side illumination mode.The anisotropic effect showed distinct features related to heavy and light holes, respectively.     

1.3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长

报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量子点密度可以控制在(1～7)×1010cm-2范围之内,而面密度处于4×1010cm-2时有良好的光致发光谱性能.含有三到五层1. 3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射.     

特种设备安装单位质量管理及证后监管方法研究

特种设备安装质量是保证特种设备安全运行的有力保证,而特种设备安装单位的质量保证体系的完整性和运转是否正常,是保证特种设备安装质量的前提,文章通过对现阶段特种设备安装单位质量管理现状及证后监管方式的探讨,提出相应的对策和建议供管理部门参考。     

微机械可调谐滤波器的研制

利用 Ga As/Al Ga As分布反馈 Bragg反射镜在 Ga As衬底上制作了一个微机械的调谐滤波器 .该器件在 7V调谐电压下调谐范围达28nm     

1.3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长

报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量子点密度可以控制在(1～7)×1010cm-2范围之内,而面密度处于4×1010cm-2时有良好的光致发光谱性能.含有三到五层1. 3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射.     

微机械可调谐滤波器的研制

利用GaAs/AlGaAs分布反馈Bragg反射镜在GaAs衬底上制作了一个微机械的调谐滤波器.该器件在7V调谐电压下调谐范围达28nm.     

RCE光电探测器顶部DBR的优化

对研制的 VCSEL 结构外延片制成的谐振腔增强型 (简称 RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究 ,由于 VCSEL 与 RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同 ,通过腐蚀 VCSEL 器件顶部 DBR,改变顶镜反射率 ,能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的 RCE光电探测器 ,实现 VCSEL 与 RCE探测器的单片集成 .     

光互连用8×8多量子阱空间光调制器

制作了光互连用８×８多量子阱空间光调制器，测量了其耐压特性、模式均匀性、对比度和插入损耗等。使用Ｄａｍｍａｎｎ光栅分束器将半导体激光束分成等光强的６４路并将其照射到多量子阱空间光调制器上，测量了其调制特性     

聚合物热光相移器件的研究及其应用

利用聚合物材料研制出热光Mach-Zehnder(MZ)型干涉调制器,单位相移为1.53π/(cm·℃),产生π相移所需功率为12mW.热光开关的响应时间为1.2ms,消光比为16dB,接近实用水平.并且讨论了热光相移在多种光电子器件中的应用.     

(Ga,Al)As/GaAs及GaInAsP/InP激光器中的深能级

采用深能级瞬态谱技术(DLTS),测定了用水平液相外延法生长的四层结构Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3/GaAs,Ga_(0.26)In_(0.74)As_(0.6) P_(0.4)/InP 宽接触及质子轰击条形双异质结激光器中的深能级,对于这些深能级所引起的激光器退化问题进行了初步研究和讨论.