由乙腈一步法制备乙酸丁酯的研究

以丁醇和制备丙烯腈的副产物乙腈为原料 ,采用一步法合成了乙酸丁酯。通过正交实验得到了影响反应的 4种因素。确定了最佳的工艺条件为 :催化剂的量为样品质量的 40 % ;n(CH3CN)∶ n(C4 H9OH) =1∶ 1 .0 5 ;反应温度为 1 0 5℃ ;反应时间为 8h。在此反应条件下 ,乙酸丁酯的收率为 88.8% ,纯度可达 99.5 %。并用气相色谱及红外光谱对产品的纯度进行了表征     

WLAN时变信道下链路性能改进

在IEEE802.11n的MIMO信道模型基础上研究了时变信道下链路性能,提出了一种基于SNR动态调整调制编码方案(MCS)链路自适应方法。多普勒频移下利用基于长训练序列估计SNR动态调整MCS的方法来提高链路性能。仿真表明,该方法根据信道状况动态调整MCS,在数据吞吐率上有很大的提高。     

正在冉冉升起的明日之星 金刚特陶事业部

<正>4月5日,继2016年后,由佛山金刚企业集团董事长冯斌亲自带队,在次亮相日本高性能陶瓷展。与其他展会所不一样的是,这场在日本举办的高性能陶瓷展,无论是参展品、产品,还是买家,都更具特种陶瓷行业的专业性和针对性,是全球特陶行业的一场盛宴!     

一种适用于无源射频电子标签改进型PMOS整流器

分析了二极管和COMS电压整流器的结构特点及性能.提出一种适用于射频电子标签的高效率改进型PMOS电压整流器,采用0.13 μmCMOS工艺进行模拟验证.ADS仿真表明在输入功率-10 dBm时,输出电压1 V、电流8 μA.此电路结构简单,减小了衬偏效应、改善了高频性能,提高了整流效率.根据欧洲EPC标准,最大工作距离可到8 m.     

一种新的基于SRAM的快速综合技术

对静态随机存储器(SRAM)全定制设计过程中的版图设计工作量大、重复性强的问题进行了分析,并在此基础上提出了一种新的应用于SRAM设计的快速综合技术。这种技术充分利用SRAM电路重复单元多的特点,在设计过程中尽可能把电路版图的硬件设计转换为使用软件来实现,节省了大量的版图设计和验证的时间,从而提高了工作效率。这种技术在龙芯Ⅱ号CPU的SRAM设计中得到了应用;芯片采用的是中芯国际0.18μm CM O S工艺。流片验证表明,该技术对于大容量的SRAM设计是较为准确而且有效的。     

钎焊多层金刚石薄壁钻的性能研究

采用钎焊法制备多层金刚石薄壁钻,并对空白胎体及孕镶胎体的密度、抗弯强度等机械性能和钻头的使用性能在相同的工艺条件下与烧结钻头进行对比。结果表明:钎焊空白胎体和孕镶胎体的密度高,抗弯强度较大。钎焊钻头金刚石的出刃高度比烧结钻头提高了12.5%。钎焊钻头比烧结钻头的使用寿命提高了17.75%,但效率降低了4.63%。     

钎焊金刚石耐磨涂层制备及其磨损性能

为提高农机刃具类零件的抗磨粒磨损性能,提出一种钎焊金刚石耐磨涂层制备方法,在Q235钢基体上制备了不同粒径及镀覆状态的金刚石耐磨涂层,并与65Mn钢的摩擦磨损和抗磨粒磨损性能进行对比。采用扫描电镜(SEM)对涂层表面、涂层与钢基体界面、涂层磨损后的表面微观形貌进行表征,并分析涂层的磨损规律及机理。结果表明:钎焊金刚石涂层与钢基体结合良好,金刚石在涂层中均匀分布,涂层厚度约370 μm。钎焊金刚石涂层的耐磨性优于65Mn钢的,且随着金刚石粒径减小钎焊金刚石涂层的摩擦系数降低,涂层的耐磨性增大;钎焊镀钨金刚石涂层的抗摩擦磨损和磨粒磨损性能均高于钎焊未镀覆金刚石涂层的。      

新型基于源极跟随器的零极点型滤波器

提出一种新型基于源极跟随器的零极点型滤波器。提出的单支路全差分的双二阶单元采用两个前馈电容综合复数零点,用于实现连续时间零极点型滤波器。源极跟随器在电压域直接处理信号使得该双二阶单元以低功耗实现高线性度。利用CMOS0.18μm工艺级联实现了一个4阶切比雪夫Ⅱ型全差分低通滤波器。测试结果表明,滤波器带宽为2.75MHz,实现了带外下陷特性。在2V电源电压下,消耗电流为1.5mA,测得带内IIP3为5dBm。在三次谐波失真(HD3)为-46.3dB条件下滤波器的动态范围为65dB。     

带内噪声整形连续时间滤波器

提出了一种带内噪声整形连续时间滤波器,详细分析了滤波器的传输特性和噪声整形原理.采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一个4阶巴特沃斯型全差分低通滤波器.仿真结果表明,滤波器的带内增益为10 dB, -3 dB频率为4.5 MHz;输出噪声的理论分析与仿真结果一致;在2.5 V电源电压下,消耗电流为0.8 mA, 带外IIP3为25.3 dBV,带外无杂散动态范围为65.3 dB.