硅烷外延淀积多晶硅

SiH_4-H_2-HCl系统用于淀积多晶硅膜,有着SiCl_4外延无法比拟的优越性,其生长温度最佳值在1050℃,生长速度从实验趋势上来看远远超过了SiCl_4外延.外延质量也比SiCl_4外延好.所以,在一些特殊器件的制造中采用本系统是完全必要的.     

集成电路油墨打印标记牢度探讨

随着电子产品对可靠性的要求越来越高,军品集成电路的打印标记要经受越来越苛刻的筛选试验和考核。目前,国内在金属外壳或盖板上的标记大多采用油墨打印。油墨打印技术实际上是一种胶粘剂粘接技术,胶粘剂的粘接过程是一个复杂的物理化学过程。胶粘剂与被粘物间形成良好的浸润性是提高粘接强度的先决条件,也就是说保证标记牢度的关键除了选择高表面能的金属材料外,还要对金属外壳或盖板进行恰当的处理使油墨对它有优良的浸润性。通过反复试验,总结出一套能保证标记牢度的打印工艺。     

一种简单易行的显结法

众所周知,在制作器件的工艺过程中,结深的控制对器件成品率的影响较大,如能清晰地显示各种扩散或外延结,甚至是杂质浓度差很大的同型层的纵向结构,无疑将对分析工艺中出现的一些异常现象,如光刻对不正造成P~ N~ 相碰,漏源表面反型、基区宽度不合要求等,提供了一种简易的直观方法。以往由于没有一种简易的显结方法,工艺中结的纵向结构一般不作显示。象磨角染色法、滚槽法、电解水氧化法都因样品制备麻烦或显示清晰度欠佳而不被人们所常用,因而在分析一些工艺问题时比较盲目,论据缺乏说服力。我们在工艺     

塑封集成电路离层对可靠性的影响及解决方法

塑封集成电路因其是非气密性封装,封装材料热膨胀系数的不同以及被粘接材料表面能低,是造成塑封电路离层或开裂的内部原因。通过选择特殊的封装材料（特别是框架材料）和工艺可以解决离层或开裂问题,大大提高塑封集成电路的稳定性和可靠性。水汽是造成塑封集成电路离层或开裂的外部原因,可以通过驱除和防潮措施来解决。要提升塑封集成电路可靠性,必须从技术和工艺上解决塑封电路离层或开裂问题。我们在这方面做了有益的尝试,取得了良好的效果,为拓展塑封集成电路的应用领域创造了条件。     

磷隐埋对通隔离在集成电路中的应用

目前,在国内集成电路生产中,通常采用PN结隔离工艺和介质隔离工艺.其中PN结隔离工艺又以锑隐埋单面隔离为常见.磷隐埋对通隔离工艺国内只有个别高等院校采用,工厂极为少见.国外象CA3094等也是采用这种工艺制作的.我们在生产集成电路的一些品种中,摸索应用这一工艺.体会到,它与传统的单面隔离工艺相比,有许多独特的优点,有推广应用的价值.一、简单原理及工艺比较图1是单面隔离和对通隔离示意图.