极端头端面倾斜的磁透镜场分布和象差的理论研究

高分辨本领电子光学仪器(例如电子显微镜)要求电子透镜具有严格的旋转对称性,但是实际的电子透镜存在着非旋转对称的缺陷,从而影响了仪器的质量。在这些缺陷中,极端头的端面倾斜目前还没有研究过。 本文计算和讨论了磁透镜极端头端面倾斜所引起的电子光学象差,作者应用数理方法(分离变数法)得到了端面倾斜情况下场分布的严格解析表达式;当倾斜为微扰时计算了非旋转对称象差以及它们与几何参量的关系;得出了高斯象平面上轴上象散圆斑大小;最后讨论了高斯轨迹的微扰及其象差图形。结果表明:轴上象散椭圆斑和端面倾斜角度正切的平方成正比,由此给出了极端头端面倾斜的加工容差。 本文所用方法与所得结果均适用于研究静电透镜。     

非晶硅薄膜的应用前景

本文评述并探讨了-Si:H薄膜在电子学领域的种种应用。-Si:H太阳电池是非晶硅薄膜的最重要的器件,目前的主要研究课题仍是改进材料性质和器件参数,以提高电池的能量转换效率。利用-Si:H灵敏的光敏效应记录图象信息,可能有广阔的应用前景(如用于摄象管和静电复印等)。以-Si:H场效应管为基础的集成电路,易于实现大面积和结构的立体化,因此有很大吸引力。-Si:H FET驱动的液晶大面积显示和材料本身的场致发光在大面积平面显示中直接应用的可能性亦引人注目。以整流、检测等为目的的其它-Si:H二极管也都具有相当的价值。     

氩对硅烷等离子体的稀释效应

本文提出了等离子体光发射谱（OES）输运因子（Tp）的概念。测量和分析了不同稀释度下硅烷等离子体OES的空间分布特性，包括其峰值（Im）和输运因子的变化规律，以寻求高速沉积的途径。检测了掺杂了硅烷的氩气的OES，以讨论硅烷等离子体中氩稀释的物理效应。在有关物理问题的讨论中，把OES和激光诱导荧光（LIF）谱的两种结果结合起来，更有助于对问题的深入理解。     

nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向偏压为－７～－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜中具有无序排布且粒径大小不一的Ｓｉ微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象．如果进一步改进膜层生长工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Ｓｉ微晶粒的     

类单晶氧化锌纳米棒的制备与表征

用简单的无催化剂、高温热蒸发方法制备氧化锌纳米棒,得到了具有良好晶体结构和规则外形的ZnO纳米棒,长度为(1-5)μm,直径约几十纳米.测量了ZnO纳米棒的光致发光特性.讨论了实验条件对纳米棒生长结果的影响,并对生长机理做了初步探讨.     

a-Si:H光导成像器件

利用a-Si:H膜的光电导灵敏性可记录图像信息。目前正在研制中的实际器件有a-Si:H靶摄像管和用a-Si:H作光感受器的静电成像器件等。一、a-Si:H静电成像器件 静电成像技术有广泛的应用,如用于传真印刷、计算机数据记录等自动化终端设备中,也可用于X射线图像显示及通常的静电复印机中。 a-Si:H薄膜静电成像器件采用干成像原理,包括三个过程:     

硅烷等离子体光发射谱的空间特性及其对沉积速率的影响

探测等离子体光发射谱(OES)强度的二维空间分布,借助其峰值大小和峰位变动及输运因子概念来描写和全面探讨了它们的分布特性,特别是等离子体中成膜物质基团的输运特性,以寻求高速沉积的途径。实验结果说明,输运特性和等离子体参量(功率、流量、压强、偏压)之间有很强的依赖关系。而且对于SiH~*和H_α~*来说有不尽相同的规律。这些结果对于深入研究成膜机理无疑是重要的。     

新型纳米功能材料

讨论了纳米材料复合薄膜的结构和特性,涉及到与力学、防护、电池等特性有关的结构,重点分析了电学、光学、光电特性,如新型纳米线复合光电池,氧化锌(ZnO)纳米棒阵列的结构和荧光发射,以及金属纳米线阵列的制备和场发射特性.金属纳米线阵列场发射的高分辨,结构完美,工艺简单和极低的成本,有可能是未来平板显示器的重要组件.     

纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象

利用纳米硅薄膜中微晶粒的量子点（Ｑ．Ｄ）特征制成隧道二极管结构，在液氮温区（〈１００Ｋ）在其σ－Ｖ，Ｉ－Ｖ及Ｃ－Ｖ特性曲线上呈出共振隧穿峰，库仑台阶和量子振荡现象，说明，对无序分布着量子点阵列，只要其粒子尺寸足够小，同样会发生量子功能作用，估计了室温范围呈出这种量子功能作用的可能性。     

a—Si：H光导成像器件

利用a-Si:H膜的光电导灵敏性可记录图像信息。目前正在研制中的实际器件有a-Si:H靶摄像管和用a-Si:H作光感受器的静电成像器件等。 一、a-Si:H静电成像器件 静电成像技术有广泛的应用,如用于传真印刷、计算机数据记录等自动化终端设备中,也可用于X射线图像显示及通常的静电复印机中。 a-Si:H薄膜静电成像器件采用干成像原理,包括三