铁电陶瓷的线性热释电效应及其在红外探测器上的应用

本文概述了热释电学的发展简史以及铁电陶瓷在热释电探测器上应用的地位.深入讨论了线性热释电效应,给出铁电陶瓷在各种边界条件下的状态方程及各类热释电系数之关系.简介红外热释电探测器的工作原理和性能指标,并对热释电材料的选择标准及热释电陶瓷发展近况进行了综述.     

低电阻率PTC陶瓷及限流保安器的研究

采用Ｓｂ（３＋）、Ｎｂ（５＋）双施主掺杂并添加ＡＳＴＬ玻璃料，研制出限流保安器用的ＢａＴｉＯ３基低电阻率ＰＴＣ陶瓷材料。探讨了施主杂质、受主杂质等微量元素及玻璃料对ＰＴＣ陶瓷性能的影响。应用上述ＰＴＣ陶瓷制作出开关温度Ｔｂ＝１２０℃的限流保安器。     

100MHz陶瓷声表面波窄带滤波器研究

给出了在Ｎｄ，Ｉｎ，Ｍｎ改性ＰｂＴｉＯ３压电陶瓷基片上，采用三次谐波，设计和制作１００ＭＨｚ的声表面波窄带滤波器的研究结果。     

施主半导化BaTiO3PTC陶瓷耐压特性

本文利用敏感半导体陶瓷的显微物理模型，计算了ＢａＴｉＯ＿３基ＰＴＣ陶瓷材料的耐压特性。结果表明，ＰＴＣ陶瓷材料的耐压性能与施主浓度、表面态密度、颗粒尺寸和颗粒尺寸分布及散热条件等有关。这些结果与已有实验结果相符，它们为ＰＴＣ陶瓷耐压设计与测量提供了理论基础。     

低阻PTC半导体陶瓷及限电器的研究

本文给出了笔者研制的低阻ＰＴＣ半导体陶瓷的制备工艺。该ＰＴＣ陶瓷的主要性能如下：Ｔ＿ｃ≈１１０℃，ρ＿（２５℃）≈５０Ω·ｃｍ，ａ＿Ｔ＞１５％／℃，Ｒ＿（ｍａｘ）／Ｒ＿（ｍｉｎ）＞１０￣５．Ｖ＿（ｗ，ｖ）＞１５０Ｖ／ｍｍ。此外；还给出了用该陶瓷设计和制作限电器的方法。     

改性PbTiO_3压电陶瓷及其在SAW中的应用

本文介绍了采用一般工艺研制的以Nd、Mn、In改性的PbTiO_3压电陶瓷的性能及其测试方法;并探讨了In含量与瓷料的晶粒尺寸、表面波延迟温度系数及传输损耗的关系。以化学分子式为(Pb_(0.88)Nd_(0.1))(Ti__(0.92)Mn_(0.02)In_(0.06))O_3的配方获得了晶粒尺寸为0.5～1.8μm; 抛光表面气孔小于1.5μm;表面波传输损耗为4dB/cm(30MHz);相对介电常数为210;机械品质因数为1800;表面波延迟温度系数为20ppm/℃(0～80℃)优良压电陶瓷材料。本文研究了这种陶瓷材料在SAW中的应用。     

低阻PTC地导体陶瓷及限电器的研究

本文给出了笔者研制的低ＰＴＣ半导体陶瓷的制备工艺。该ＰＴＣ陶瓷的主要性能如下：Ｔｃ≈１１０℃．Ｐ２５℃≈５０Ω．ｃｍ，ａｒ＞１５％／℃，Ｒｍａｘ＞１０＾５，Ｖｗ＼ｖ＞１５０Ｖ／ｍｍ。此外，还给出了用该陶瓷设计和制作限电器的方法。     

BESOI压力传感器的研制

用ＢＥＳＯＩ技术形成带腔结构，研制了具有高过载性能的绝压式和差压式压力传感器。用凸型梁结构使形变膜的应力放大，可提高传感器的输出灵敏度，实验得到的负压传感器的非线性度小于０．１％，５Ｖ时输出灵敏度约２．６ｍＶ／ｋＰａ。     

施主半导化BaTiO3 PTC陶瓷的电压效应

利用敏感半导体陶瓷的显微物理模型，研究了ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣ陶瓷材料的电压效应。结果表明，ＰＴＣ陶瓷材料的电压系数与施主浓度、表面态密度、晶粒尺寸和晶粒尺寸分布等有关。这些结果与已有实验结果相符，它们为ＰＴＣ陶瓷电压效应的设计与测量提供了理论基础。