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用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺 总被引:1,自引:1,他引:0
用变角X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺 ,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子穿过激活层 ,扩散到GaAs与 (Cs,O)激活层的界面上而形成的。导入过量O会增加O GaAs界面层的厚度 ,而对 (Cs,O)激活层厚度影响较小。在激活过程中 ,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度 ,提高灵敏度的重要途径。在第一步激活后的阴极样品 ,通过较低温度的加热和再激活 ,能获得比第一步高出 30 %的光电灵敏度的原因是较低温度加热减少了界面氧化层的厚度和界面势垒 相似文献
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利用自行研制的“光电阴极多信息量测试系统”首次对国产三代微光管中的GaAs光电阴极的均匀性进行了光谱响应测试 ,结果表明该国产三代微光管存在明显的非均匀性。利用曲线拟合方法估算了GaAs光电阴极的材料性能参数 ,发现表面逸出概率不一致是非均匀性的主要原因 ,GaAs材料的少子扩散长度 (1 1 2~ 1 82 ) μm ,与阴极厚度相当 ,后界面复合速率在 (1× 1 0 5~ 1× 1 0 6 )cm/s之间 ,它限制了阴极灵敏度的提高 相似文献
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GaAs光电阴极p型掺杂浓度的理论优化 总被引:3,自引:0,他引:3
为了获得高量子效率的GaAs光电阴极,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长,且电子表面逸出几率大,这对p型掺杂浓度提出了两个矛盾的要求,需要进行优化.本文建立了电子扩散长度与p型掺杂浓度的关系曲线,并计算了不同p型掺杂浓度下的电子表面逸出几率,在此基础上计算了不同阴极厚度的GaAs光电阴极的理论量子效率随掺杂浓度的变化曲线.计算结果表明,p型掺杂浓度在~6×1018cm-3时可获得最大量子效率,掺杂浓度对量子效率的限制随阴极厚度的增大而增大. 相似文献
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毫米波/红外复合制导半实物仿真中需要使用二向色镜,用于透射毫米波、反射红外,提出了用分形频率选择表面(FSS)实现二向色镜的方法,设计了一种8 mm和3 mm波段双频带通的Y环分形FSS,基于频域有限差分法(FDFD)和周期边界对其进行了仿真分析,并进行了实物研制.仿真和测试结果表明,该分形FSS结构具有稳定而优良的频率特性,同时圆极化性能好、工程实现简单,而且对大于5 μm的红外信号反射率最高接近90%.特别是这种二向色镜可以同时应用于8 mm和3 mm波段毫米波/红外半实物仿真系统,具有良好的复用特性,因此有很好的应用前景. 相似文献
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毫米波/红外复合制导共口径天线需要使用二向色镜,用于透射微波/毫米波、反射红外,提出了用分形频率选择表面(FSS)实现二向色镜的方法,设计了一种Ku波段和Ka波段双频带通的Y环分形FSS,基于频域有限差分法(FDFD)和周期边界对其进行了仿真分析,并进行了实物研制,仿真和测试结果表明,该分形FSS结构具有稳定而优良的频率特性,同时圆极化性能好、工程实现简单,而且对大于5 μm的红外信号反射率最高接近90%. 相似文献
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GaAs:Gs—O NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算 总被引:5,自引:2,他引:3
介绍了计算CaAs:Cs-O NEA光电阴极电子表面逸出几率的方法,选用双偶极层表面模型,计算了两个极层形成的界面势垒各自对电子表面逸出几率的影响,提出了增大电子表面逸出几率的条件,并粗略推测了第一偶极层的厚度。 相似文献
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