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半导体断路开关(SOS)特性研究 总被引:2,自引:2,他引:0
本文描述了半导体断路开关(SOS)的制作及性能测试。制作方法采用普通二极管类似的扩散工艺.但其制作工艺的关键在于深结的扩散。在pn结足够深时才能产生SOS效应。描述了制作过程并采用脉冲电路测试了所研制的SOS器件的电学性能。测试结果表明所研制的样品性能达到了与国外水平。 相似文献
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19种核素的复合参数K_0值的测定 总被引:3,自引:0,他引:3
本文介绍反应堆中子活化分析中核素的复合参数K_0因子的测量方法及简要原理。给出了19种核素的K_0实测值。结果与文献值作了比较,对大多数核素而言,在5%内吻合。 相似文献
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本文首次提出并实践了一种利用铝的热膨胀特性密封制备人工嬗变实验碘靶的技术。在西安脉冲反应堆上进行的129I人工嬗变实验要求靶的尺寸小、漏率低。将冷冻收缩的铝封堵头迅速置于室温下的铝靶壳顶部,待封堵头升温膨胀后自动对靶进行密封。该方法简洁易行,无高温焊接过程,不会改变靶芯的形态,制靶成本较低。同时,制靶材料在热分析时不会释放多余气体,耐温达600 ℃。采用6061铝经多次实验得到了自膨胀密封靶各部件匹配尺寸的经验公式。所制作的4个正式靶背压检漏漏率均好于5×10-9 Pa•m3/s,满足实验要求。 相似文献
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采用241Am-α源研究了ZnO(In)样品(购自美国Cermet Inc.公司)的发光和表面光输出特性、α粒子能谱响应和单脉冲时间响应,同时对EJ212、BC418、ST401、CeF3等闪烁体进行了比较测量。实验发现,ZnO(In)样品在α粒子轰击下,两表面的光输出相差3~5倍,显示出表面不同的光学性质。测试结果表明,ZnO(In)晶体对α粒子的能谱响应波形光滑,发光效率仅次于有机闪烁体,对单粒子脉冲时间响应快,是超快脉冲射线束探测较理想的闪烁元件。 相似文献
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为填补以往西安脉冲反应堆(脉冲堆)超设计基准事故研究的不足,利用RELAP5/SCDAP/MOD3.4程序对脉冲堆系统进行了建模计算,给出了脉冲堆在断电ATWS事故和大破口失水ATWS事故下的瞬态响应特性。计算结果表明:发生断电ATWS事故后,在无人为干涉情况下,反应堆部分燃料可能熔毁;发生大破口失水ATWS事故后,破口位置和尺寸对事故后果的严重程度有重要影响,破口位置在堆池底部时,燃料最高温度低于1 800℃,而破口位置高于堆芯下栅板时,将导致燃料元件熔毁。根据脉冲堆在超设计基准事故下的动态响应,针对两种事故工况分别提出了相应的缓解措施。 相似文献
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