SiC MESFET反向截止漏电流的研究

给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升.从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和功率增益也分别提高了10%和1.5 dB.该方法充分发挥了SiC材料能形成自身氧化层的优势,结合Si工艺的特点,减小了氧化层的缺陷,并在一定程度上减小了器件的寄生电容.     

高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制

采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管,该器件在f0为3.1～3.4 GHz、Vcc=32 V、Pw=500μs、D=10%条件下共基极C类工作,宽带输出功率大于50 W,增益大于7.4 dB,效率大于36%;在Vcc=36 V时,宽带输出功率大于64 W,增益大于8.5 dB,效率大于36%,抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁,表现出了良好的微波性能和高的可靠性.     

3.5GHz 65W硅脉冲大功率晶体管研制

介绍了采用梳状发射极自对准工艺研制的硅微波脉冲大功率晶体管的实验结果。在3．5GHz频率下,该晶体管脉冲输出功率65W,功率增益7dB,集电极效率35％（脉冲宽度100微秒,占空比5％）。