电力市场化改革中电力企业的运营格局

电力商品的特点。电力与其他有形商品相比从发输配到销售的时间都不同。电力交易本身包含了发输配供各环节，然后到终端客户，但交易过程是由电力生产的特点确定的，“发-输-配-供-用”在同一时刻完成。     

热光Si共振腔型可调谐滤波器

报道了利用Si基键合技术和化学机械抛光工艺制作的垂直结构的Fabry-Perot可调谐滤波器,调谐机理为pn结正向注入电流引起的热光效应.调谐范围可达23nm,响应时间约为300μs,并给出了获得更快响应和更低能耗的热光和电注入可调谐滤波器件结构改进方案.     

B在SiGe中的应变补偿作用

用超高真空化学气相淀积方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.3,即平均掺入1个B原子可以补偿7.3个Ge原子引起的应变.同时获得B的晶格收缩系数为6.23×10-24cm3/atom.     

硅基1.55μm共振腔增强型探测器

报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术.高反射率的SiO2/Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上,然后键合到InGaAs有源区上,键合温度为350℃,无需特殊表面处理,反射镜的反射率可以高达99.9%以上,制作工艺简单,价格便宜.并获得硅基峰值响应波长为1.54μm,量子效率达22.6%的窄带响应,峰值半高宽为27nm.本方法有望用于工业生产.     

微腔调制常温Ge量子点光致发光特性

报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光致发光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合得很好,变功率实验也进一步证实了该结论.     

具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器

利用表面微机械技术,成功制作了1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器.原型器件在50V的调谐电压下,调谐范围为90nm.该技术可以用于制作1.3μm Si基可调谐光探测器.     

支撑光网络发展的Si基光子集成器件的研究进展

本文报道了可用于光网络系统终端OADM和OXC的Si基长波长量子阱窄带响应光电接收器、MOEMS和F-P TO宽频域光学滤波器、M-Z型 TO光开关和MMI多路分束器以及可变光强衰减器.用应变层SiGe/Si MQW研制的RCE光电接收器响应谱半宽FWHM<6nm,外量子效率η>4.2%;采用表面微机械加工的桥式光学滤波器,当外加电压0→50V,连续可调谐范围达90nm;彩全平面工艺研制的F-P腔TO滤波器,当外加电流0→57mA时,连续可调谐范围达23nm,FWHM<0.5nm.在SOI Si基片上研制的M-Z TO波导光开关,开关时间<30μs,功耗～100mW.开关消光比为-13dB和-10dB,1×4MMI多路分束器输出光声的不均衡性<0.36dB,总插入损耗为6.9dB.用背向对接的MMI构成的M-Z干涉仪实现了光强的可变调最大衰减量26dB,响应时间为100μs,插入损耗为4.8～7dB.     

热光调谐滤波器的高温性能分析

研究了热处理对Si基热光Fabry-Perot(F-P)腔可调谐滤波器的影响,用原子力显微镜分析了高温热退火前后的器件表面变化.发现随着退火温度的升高,器件的透射峰发生蓝移,同时透射峰强度及DBR(distributed Braggreflector)反射率下降.透射峰蓝移是非晶硅和SiO2致密后折射率增大而厚度减小,最终导致DBR中心波长偏短所致;DBR反射率下降和透射峰强度的下降是高温下表面和界面变得起伏较大所致.     

B在SiGe中的应变补偿作用

用超高真空化学气相淀积方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料，研究了B对SiGe合金的应变补偿作用. 结果表明，B的掺入使SiGe的应变减小，B对Ge的应变补偿率为7.3，即平均掺入1个B原子可以补偿7.3个Ge原子引起的应变. 同时获得B的晶格收缩系数为6.23e-24cm3/atom.     

硅基1.55μm共振腔增强型探测器

报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术.高反射率的SiO2/Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上,然后键合到InGaAs有源区上,键合温度为350℃,无需特殊表面处理,反射镜的反射率可以高达99.9%以上,制作工艺简单,价格便宜.并获得硅基峰值响应波长为1.54μm,量子效率达22.6%的窄带响应,峰值半高宽为27nm.本方法有望用于工业生产.