基于EWB的D/A数模转换器的仿真研究

阐述了D／A转换器的仿真原理，给出了T形电阻网络D／A转换器仿真模型的构造方法，并采用EWB进行了系统仿真，仿真结果表明该方法是合理、可行的。     

一种新型偏置电路的CMOS亚阈型电压基准源

文章设计了一种工作在亚闽值状态下的CMOS电压基准源,分析了MOSFET工作在亚闽区的电压和电流限定条件。电压基准源可提供与工艺基本无关近似零温度系数的基准电压。为了提高电路的电源抑制比,该电路采用了共源共栅电流镜结构。该结构采用了一种新型的偏置电路．使得电流镜各级联管均工作在饱和区边缘而不脱离饱和区,提高输出电压摆幅,得到有较高恒流特性的基准电流。该电路采用0,6μmCMOS工艺,通过Spectra仿真,可工作在2V电压下,输出基准电压1.4V,温度系数为17×10^-6（V／℃）。     

一种中频接收电路的版图设计

利用Cadence版图设计工具采用B300工艺对一种中频接收电路芯片的版图设计实例,阐述了模拟集成电路版图的设计过程,论述了包括单元库建立、布局、布线、设计规则检查（DRC）和版图对照原理图检查（LVS）等在内的设计步骤以及进行每一步骤的具体方法,尤其对布局和布线这样的关键步骤进行了重点讨论。最后给出了完整的芯片版图。     

一种零电压开关Zeta变换器的设计

给出了一种零电压开关Zeta变换器,这种变换器可以提高效率和减小功率开关管的电压应力.当变换器工作在连续模式时,应用谐振电容和变压器的漏感实现功率开关管的零电压导通.详细分析了变换器的工作原理,并设计了相应的电路进行验证.仿真结果表明所设计的Zeta变换器效率达92.21%,输出电压纹波为125 mV.它可被用于等离子显示屏(PDP)电源系统.     

低压基准源的分析和设计

在对传统的CMOS带隙电压基准源电路的分析和总结的基础上,集合一级温度补偿、电流反馈技术,提出一种可以在低电源电压下工作,同时输出可调的低温度系数基准源电路。负反馈运放采用差分结构,简化了电路设计;同时放大器输出用作PMOS的电流源偏置,提高了电源抑制比。采用CSMC 0.6μm CMOS工艺实现,版图面积为0.41 mm×0.17 mm。Cadence Spectre仿真结果表明了设计的正确性。     

一种升压式PFM DC-DC转换器的设计

讨论了一种PFM升压式DC－DC电压转称器的设计，重点对其关键的基准电压产生，振荡控制信号产生及比较器设计进行了分析，并采用3μmCOMOS工艺完成芯片的设计。     

一种用于数字峰值电流模Buck的高精度DPWM设计

为减小脉冲关断延迟,提出了一种用于数字峰值电流模Buck的高精度数字脉冲宽度调制器(DPWM)的设计方案。采用粗调与细调相结合的分段式架构思想,粗调部分由全局时钟控制计数器-比较器模块构成,细调部分由锁相环组成的相移电路、计数器-比较器、多路选择器和逻辑门构成,以此产生不同精度的两段式延迟叠加,实现较高的DPWM输出精度。采用Vivado和Xilinx7系列FPGA,仿真并测试了搭载高精度DPWM的Buck。仿真结果表明,DPWM时间分辨率为250 ps,精度为0.01%。此外,测试结果表明,与低精度DPWM相比,设计的高精度DPWM一定程度上抑制了系统的极限环振荡,提高了Buck的环路带宽及系统稳定性。     

一种低压、恒增益Rail-to-rail运算放大器的设计

文章设计了一种低压、恒定增益、Rail-to-rail的CMOS运算放大器。该放大器采用直接交迭工作区的互补并联输入对作为输入级,在2V单电源下,负载电容为25pF时,静态功耗为0.9mW,直流开环增益、单位增益带宽、相位裕度分别为74dB、2.7MHz、60°。     

一种基于数字逻辑控制的低损耗双半桥驱动芯片

设计了一种集成双半桥和四功率开关的驱动芯片。采用双路对称设计,每一路可单独控制使能、自举和驱动。芯片内部采用高精度的基准源以及LDO电路,同时具有欠压死锁、过压保护和过温保护功能。死区控制可避免上下功率管直通大电流,自举设计可使上功率管的开启电压达到5 V,降低了功率管自身的损耗,使功率管输出达到11.90 V。采用TSMC 0.18μm BCD工艺进行流片。测试结果表明,输出的方波信号幅度为11.96 V/11.95 V,死区时间为60 ns/80 ns,静态功耗低至478μA。     

断续工作模式下高功率因数AC-DC LED驱动芯片

设计并实现了一种高功率因数AC-DC LED驱动电路。采用单周期控制策略与固定关断时间控制方式,得到了接近于1的功率因数。针对系统工作在断续导通模式下所产生的输入电流零交越畸变现象,加入了零交越补偿电路,并对改进的电路进行系统建模。使用Simplis软件验证了该策略的可行性,并对补偿电路进行了参数优化与选取。采用HHNEC 0.5 μm 5 V/40 V HVCMOS工艺对芯片进行MOS级电路设计,控制芯片版图尺寸为1 950 μm×2 730 μm。对原型电路进行测试,交流输入电压在85~265 V范围内,输出功率在7~12 W时,整个系统功率因数高于0.98,最高可达0.9992,总谐波失真最小仅为4.67%。