面向C++商业软件二进制代码中的类信息恢复技术

采用 C++编写的软件一直是二进制逆向分析中的高难度挑战, 二进制代码中不再保留 C++中的类及其继承信息, 尤其是正式发布的软件缺省开启编译优化, 导致残留的信息也被大幅削减, 使得商业软件(Commercial-Off-The-Shelf, COTS)的 C++二进制逆向分析尤其困难。当前已有的研究工作一是没有充分考虑编译优化, 导致编译优化后类及其继承关系的识别率很低, 难以识别虚继承等复杂的类间关系; 二是识别算法执行效率低, 无法满足大型软件的逆向分析。本文围绕编译优化下的 C++二进制代码中类及其继承关系的识别技术开展研究, 在三个方面做出了改进。第一, 利用过程间静态污点分析从 C++二进制文件中提取对象的内存布局, 有效抵抗编译优化的影响(构造函数内联); 第二, 引入了四种启发式方法, 可从编译优化后的 C++二进制文件中恢复丢失的信息; 第三, 研发了一种自适应 CFG(控制流图)生成算法, 在极小损失的情况下大幅度提高分析的效率。在此基础上实现了一个原型系统 RECLASSIFY, 它可以从 C++二进制代码中有效识别多态类和类继承关系(包括虚继承)。实验表明, 在 MSVC ABI 和 Itanium ABI 下, RECLASSIFY 均能在较短时间内从优化后二进制文件中识别出大多数多态类、恢复类关系。在由 15 个真实软件中的 C++二进制文件组成的数据集中(O2 编译优化), RECLASSIFY 在 MSVC ABI 下恢复多态类的平均召回率为 84.36%, 而之前最先进的解决方案 OOAnalyzer 恢复多态类的平均召回率仅为 33.76%。除此之外, 与OOAnalyzer 相比, RECLASSIFY 的分析效率提高了三个数量级。     

真丝针织服装缝制过程中针洞的消除方法

针洞的产生,往往不是反映在孤立的几件衣片上,在很大程度上会预示着同批的面料都会出现这一毛病。因此,针洞是严重影响缝制工艺按预期计划进行的障碍。针洞的产生所谓“针洞”,它是由高速工业缝纫机的缝纫针在工作过程中进入织物时不在线圈间穿行,而是直接刺穿纱线所造成的损伤。这种损伤在单面平纹针织物和细纹织物上一旦出现,对产品的质量将造成比其它织物更为严重的影响。因为针织物线     

伦敦巴比坎艺术中心,英国

西欧最大的艺术中心和会议中心——巴比坎艺术中心,去年三月在英国女王伊丽莎白二世主持下正式开幕。艺术中心位于伦敦城泰晤士河北岸的巴比坎小区内。二次大战期间,这个地区几乎夷为平地,仅剩下一座教堂和一段中世纪残留的城墙。巴比坎小区于1955年开始规划设计,面积15.2公顷,居住6500人。1979年,小区除艺术中心外基本建成,本刊曾作过介绍(见1980年第1期)。巴比坎小区以它设计的一致性而出名。在漫长的四分之一世纪里,尽管外界经历了巨大变化,建筑师们对原先的设想几乎保持不变。     

让Office如虎添翼 Office的秘密武器──宏

宏（英文名是Ｍａｃｒｏ）并不意味着“宏病毒”，而是一种有效的辅助工具。可以说，如果不善加利用宏，那么永远也成不了Ｏｆｆｉｃｅ高手。     

丝绸服装水迹印的消除方法

梭织的丝绸服装,尤其是绉类服装沾上污迹,经处理去除后,往往会留下较浅淡的水迹印或汽油迹印,导致产品外观质量降等。对此,本人作了不     

液位控制系统干预下小孔全过程泄漏速率模型

泄漏速率是计算泄漏量、确定泄漏持续时间及评估泄漏风险的前提和基础,通过搭建液相储罐小孔泄漏实验系统,构建不同泄漏场景,对比液位控制系统干预下的泄漏速率变化情况,并结合泄漏速率模型计算值进行分析。结果表明：液位控制系统响应后,泄漏速率下降速度变缓,并随时间推移逐渐开始回升,最后稳定在某值处达到稳态泄漏,进出流量对储罐小孔泄漏速率的影响基本可忽略。通过改进储罐泄漏经典公式,建立基于实际液位控制系统干预条件下的储罐小孔泄漏速率模型,提出泄漏孔口高压修正系数计算方法和模型,通过验证分析证明该模型可有效提高液位控制系统干预下泄漏速率计算精度。     

真丝针织绸边角料的精梳加工利用

利用真丝针织服装生产的边角料,在绢纺厂试制成功精梳绵。试验采用了圆梳工艺和直型精梳工艺。由两种工艺生产的精梳绵的平均长度、长度差异率、纤维整齐度和短纤维率均优于绢纺的特I绵,符合纺制高支绢丝要求。     

光伏-混合储能直流微电网能效提升策略研究

相较于交流微电网电能转换环节多、网损大等缺点,提出一种光伏-混合储能直流微电网架构,该架构易实现分布式电源的协调控制,减小线路损耗;引入能量型和功率型储能装置组成混合储能系统,可降低功率波动引起的损耗,并优化混合储能系统的能量流动策略。采用更加高效率的DC/DC变换器代替光伏逆变器,提升系统光电转换效率。深层次节能优化是通过更换DC/DC变换器中半导体器件材料,采用基于氮化镓(GaN)高电子迁移率(HEMT)型场效应晶体管(FET)取代硅(Si)晶型FET。最后,在ADS软件中搭建仿真模型,对比两种器件的能效,并列出了各负载在交、直流微电网运行下的能效值。