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1.
本文我们首次建立了δ掺杂AlGaAs/GaAs高电子迁移串晶体管(HEMT)的二维量子模型,这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性,根据这个模型,我们应用二维数值模拟方法和自治求解薛定谔方程和泊松方程获得了器件沟道中的二维电子浓度,同时也得到了器件沟道中的横向电场分布和横向电流密度.模拟结果表明二维电子气主要分布在异质结GaAs一侧量子附中.详细讨论了不同栅压和不同漏压下HEMT沟道中的二维电子浓度的分布及变化.  相似文献   
2.
采用不同配比的反应型受阻胺4-丙烯酰氧基-2,2,6,6-四甲基哌啶醇酯(ATMP)与丙烯酸甲酯(MA)进行溶液光引发共聚合.用核磁共振对共聚物的组成及其序列分布进行了表征.在此基础上,对不同微观结构的共聚物进行了热稳定性及玻璃化温度的测定,确定了共聚物中各基团的断裂分解温度、材料的玻璃化转变,以及这些变化与共聚物链组成和序列分布的关系.  相似文献   
3.
四元系AlGaInP为发射极异质结双极晶体管研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
本文对AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)进行了研究.设计并制备了AlGaInP为发射极的叉指结构HBT器件.研究结果表明,AlGaInP/GaAsHBT具有较高的电流增益和较好的温度特性.同时,由于对AlGaInP和GaAs腐蚀选择性大,因而工艺简单、重复性好.  相似文献   
4.
界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响   总被引:3,自引:1,他引:2  
本文利用高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流输出分析模型,首次定量地分析了界面态对AlGaAs/GaAsHEMT直流输出特性的影响.考虑界面态的作用,详细分析了不同界面态密度对HEMT的IV特性和器件跨导的影响.我们的研究结果表明随着界面态密度的增加,栅极电压对电流的控制能力减小,从而使器件的跨导减小.  相似文献   
5.
采用玻璃纤维、纳米粘土制备复合材料桩钉,测试其力学性能,并通过细胞毒性试验、溶血性试验研究桩钉的生物性能,为临床应用提供技术保证.  相似文献   
6.
1. IntroductionX-r8y spectroscopy can provide much informationabout the plasma parameters, and it is often usedas a diagnostic tool for hot plasmas [1]. Resonancelines, such as Ly a and He cr, are often used for theanalysis of soft xrny spectra from highly--chargedplasmas [2,3,4,5,6], and their adjacent dielectronicsatellite lines are used to investigate the line opac-ity and intensity distribution of these resonance Iines[7,8,9,l01. In fact, dense plasmas produced by a ns-pulsed laser are op…  相似文献   
7.
A novel double metal cyanide complex (DMC) based on Zn[Ni(CN)4] was prepared using K2[Ni(CN)4] and ZnCl2, and employed as catalyst for the copolymerization of carbon dioxide and propylene oxide (PO). The resulting copolymers were characterized by IR, ^1HNMR. The results show that this catalyst exhibits catalytic efficiency at approximate 500 g copolymer per gram of Zn[Ni(CN)4] under proper conditions. The mole fraction of CO2 for copolymer can reach about 0.3. Propylene carbonate is also produced as by-product, but its content is as low as 4%-6% of overall products under suitable conditions.  相似文献   
8.
建立了Al0.3Ga0 22In0.48P/GaAs异质结双极型晶极管(HBT)中电流输运过程的模型,利用实验得到的材料特性参数进行了HBT电流增益随温度变化的模拟。随着温度上升,小电流时电流增益下降较多,而大电流时电流增益基本保持不变.模拟表明,小电流下电流增益的下降主要是由eb结空间电荷区的复合电流随温度增加而造成的;而大电流下电流增益直至723K下降仍小于10%.最高工作温度可达848K.由于采用的计算方法充分考虑了空间电荷区复合电流的影响,模拟结果较为符合实际情况,可为研制高性能HBT器件所需材料提供参考依据。  相似文献   
9.
HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文通过变温的Hal测量系统地研究了GaAs基HEMT和PHEMT以及InP基HEMT三种结构材料的电子迁移率μn和二维电子浓度ns.仔细地分析了不同HEMT结构材料的散射机制对电子迁移率的影响以及不同HEMT材料结构对电子浓度的影响.研究结果表明InP基HEMT的ns×μn值比GaAs基HEMT和PHEMT的ns×μn值都大,说明可以用ns×μn值来判断HEMT结构材料的性能好坏.  相似文献   
10.
湘桂铁路三街漓江双线特大桥桥区地质条件复杂、岩溶发育,桩基础施工过程中出现各类问题。为确保工程顺利进行,同时降低了施工风险,依据问题提出了具体的施工对策。根据水下灌注桩施工原理,利用多次封"底"技术措施,解决因溶洞造成混凝土面下降导致断桩问题;利用连通器的原理,解决串孔施工问题。该桥施工中出现的这类问题的7根桩施工完成后经第三方超声波检测均为Ⅰ类桩。  相似文献   
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