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在氩气气氛及真空环境下生长的高阻区熔硅单晶的径向少子寿命分布情况进行了检测.检测结果表明,在氩气气氛下生长的各种规格的高阻单晶,其少子寿命一般都在1 000μs以上,且径向变化大部分在10%以内,当生长工艺参数改变时,单晶少子寿命的径向分布规律虽然会有所不同,但对少子寿命径向均匀性的影响却几乎可以忽略.而在真空环境、不同工艺参数下生长的单晶,其少子寿命的径向分布及均匀性的变化则十分的明显,还会经常看到中心少子寿命400~500μs、边缘区域少子寿命高于1 000μs的单晶.本文在单晶生长试验的基础上,通过对产生这种现象的原因进行分析,确定了采用适当地降低晶体生长速率、提高加热功率的方法,可以使高阻真空区熔硅单晶中心区域的少子寿命的提高,并使其径向分布变均匀. 相似文献
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多晶硅真空区熔提纯技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对真空单晶用多晶硅真空区熔提纯技术进行了分析,通过理论实践相结合,对真空区熔提纯过程中的提纯速率、熔区长度、提纯次数以及其它工艺参数进行了分析,制定了获得目标电阻率、型号、直径的有效区熔提纯工艺。 相似文献
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介绍了激光打标机的工作原理,并采用波长为1064 nm的光纤型激光打标机在硅单晶片上制作标识码。通过研究激光功率对打标深度的影响,确定了合适的激光打标功率为激光器总功率的50%~90%,同时,通过对激光标识码的位置进行了分析,确定了合适的激光打标位置,最终成功地在硅单晶片表面制作了激光标识码,解决了硅单晶片的可追溯性问... 相似文献
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悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,线圈形状作为主要的工艺参数直接影响能量分布并最终决定硅单晶的生长情况.通过有限元法对区熔硅单晶生长进行数值模拟,考虑二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,主要对比分析了线圈上方有无台阶对单晶生长的不同影响.同时结合相应的试验结果及现象,得到了线圈台阶的引入提高了晶体成晶的质量. 相似文献
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