列车轴温分布式测控系统

<正> 列车在运行过程中,会因各种原因使其轴温急骤上升,严重时会导致“燃轴”或“切轴”事故。为了检测列车轴温,预报“燃轴”或“切轴”事故,我们研制了列车轴温分布式测控系统。该系统是以8098单片机作为轴温数据采集智能I/O 板,采用STD 总线,组成的一个具有很强实时性的快速并行数据采集与处理系统。下面就来简单介绍这一系统。     

分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心

应用光致发光 (PL )、电容 -电压 (C- V)、深能级瞬态谱 (DL TS)和光电导 (PC)技术系统研究 Al掺杂 Zn S1 - xTex 中与 Al有关的类 DX中心 .实验结果表明 ,Zn S1 - x Tex 中存在与 - 族半导体 DX中心相类似的性质 .获得与 Al有关的类 DX中心光离化能 Ei (～ 1.0 e V和 2 .0 e V)和发射势垒 Ee (0 .2 1e V和 0 .39e V) ,这表明 Zn S1 - x Tex大晶格弛豫的出现是由类 DX中心引起     

Si:Pd深能级的研究

用三种钯源对p~+nn~+和n~+pp~+硅二极管进行了扩散掺杂,井用深能级电容瞬态谱仪(DLTS)对它们作了测量.在适当的工艺条件下,在各类样品中均观察到能量为E_c-0.37eV和E_c-0.62eV两个浓度居统治地位的新的电子陷阱能级.从实验上证明了以上两个能级确是由进入硅点阵中的钯杂质所引起,并确定了它们和文献报道过的Si:Pd 能级间的相互转化关系.由这些能级的产生条件,退火特性以及电学测量结果来看,这两个新能级应分别与硅中间隙钯所引起的两种不同荷电态的施主中心相对应.     

深中心行为图形表示方法的探讨

利用几个特征能量参数,导出了表征SRH中心四个率参量相对比率大小的一组简单的关系式.这些关系能借助于几幅分区图形来形象地表示.以估算p-n结内深中心有效发射范围作为实例,说明了利用这样的图形来解决一些实际问题是很方便的.对早先已有的图形表示方法来说,可视为是一种发展和补充.     

分子束外延生长Al掺杂n型ZnS1-x Tex的类DX中心

应用光致发光(PL)、电容-电压(C-V)、深能级瞬态谱(DLTS)和光电导(PC)技术系统研究Al掺杂ZnS1-xTex中与Al有关的类DX中心．实验结果表明,ZnS1-xTex中存在与Ⅲ-Ⅴ族半导体DX中心相类似的性质．获得与Al有关的类DX中心光离化能Ei(～1.0eV和2.0eV)和发射势垒Ee(0.21eV和0.39eV),这表明ZnS1-xTex大晶格弛豫的出现是由类DX中心引起．     

大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响

利用电流电压（ＩＶ）、电致发光（ＥＬ）和深能级瞬态傅里叶谱（ＤＬＴＦＳ）技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态．观察到大电流（直流）冲击引起电流电压和电致发光特性的弛豫．ＤＬＴＦＳ研究表明,电流冲击之前,样品存在一个位于导带下１１ｅＶ处深能级（Ｅ１）,它具有２７×１０１３ｃｍ－３浓度和５×１０－１４ｃｍ２俘获截面．经电流冲击（７７Ｋ,２００ｍＡ和４０ｍｉｎ）后,Ｅ１浓度为４２１×１０１３ｃｍ－３,约增加了２倍．实验结果表明Ｅ１浓度的增加与样品ＩＶ、ＥＬ特性弛豫是一致的     

热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响

利用光致瞬态电流谱（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ＣｕｒｒｅｎｔＳｐｅｃｔｒｕｍＯＴＣＳ）研究了热退火对低温分子束外延ＧａＡｓ材料深中心的影响,实验结果表明原生和退火的ＬＴ－ＧａＡｓ中都存在三个主要的深中心ＬＴ１、ＬＴ２、ＬＴ２,退火后各峰的相对强度变化很大,特另ＩＬＴ１／ＩＬＴ３＝Ｃ由退火前的Ｃ〉〉１到退火后Ｃ〈〈１,退火温度越高,Ｃ值越小,这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反