一种适用于GaAs MESFET挖槽工艺的腐蚀程序

本文提出了一种适用于GaAsMESFET挖槽工艺的腐蚀程序,它包括有H_3PO_4-H_2O_2-H_2O体系的凹槽腐蚀;NH_4OH-H_2O体系的表面处理;以及随后的适当水处理。实验结果证实了该程序既可得到较好的凹槽腐蚀,又可得到较好的势垒制备表面,且工艺兼容性好。是一种较好的腐蚀程序。文章对该程序做了简单的理论分析。     

砷化镓衬底与MESFET中深能级研究

用波长范围为 70 0 nm到 350 0 nm的光电流测试系统研究了 SI- Ga As衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在 SI- Ga As衬底、有源层和 MESFET中的深能级有着较为密切的联系 ,这些深能级影响着器件的性能     

X、Ku和Ka波段微波通讯系统中的耿效应放大器

本文介绍了 X、Ku 和 Ka 波段通讯系统中的稳定的小信号多级耿效应反射型放大器的设计和性能。在耿二极管小信号 Z 参数测量的基础上提出了一个单级设计途径。然后把此技术用于较低频率(X 和 Ku波段)微带介质和 Ka 波段同轴-波导混合结构。描述了11.7～12.2千兆赫和14.0～14.5千兆赫波段两级放大器性能。介绍了高 Ka 波段的两级和四级放大器性能。     

半绝缘砷化镓及其MESFET器件光敏特性研究

用波长范围为 70 0～ 3 5 0 0 nm的光电流测试系统研究了 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中的深能级。结果显示在 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中存在着相似的深能级 ,衬底的深能级影响着器件的光敏等性能。还讨论了如何减少器件中光敏现象的方法。     

GaAs功率MESFET性能与器件参数关系的实验研究

用实验的方法研究了GaAs功率MESFET性能与器件参数的关系。功率增益、输出功率随栅长的变化很灵敏,随着栅长的增加,功率增益的率是1.7dB/μm,输出功率的降低率是0.67dB/μm。栅指的宽度对微波性能的影响不明显,在8GHz下栅指宽度一直增大到200μm,其性能尚未开始变坏。对于GaAs功率MESFET微波性能与温度的关系以及热阻与器件几何参数的关系也进行了定量研究。随着器件温度的升高,功率增益的降低率是0.026dB/°C。     

生长参数对砷化镓汽相外延的影响

通过测量生长速率与几个在宽阔范围内变化的生长参数的关系,来研究以三氯化砷输运方法进行的砷化镓汽相生长。研究了源的过饱和度、淀积温度和进入系统的三氯化砷分压的影响。生长实验主要是在(100)晶面上做的,在(110)晶面上也做了一些实验。实验数据可估价在非通常条件下(即:低温、低过饱和度以及宽阔范围的三氯化砷分压)生长的可能性。在这些条件下,以很高的生长速率获得了纯的材料。所有实验结果都能用包括表面吸附层的动力学控制的生长机理做定性说明。     

GaAs表面Ga、As的比对GaAs MESFET击穿电压的影响

通过用XPS分析GaAs MESFET肖特基势垒制作前后的表面情况,发现GaAs表面Ga、As的比,对GaAs MESFET击穿电压有着明显的影响,表面Ga、As比的明显偏离将导致击穿电压的下降.分析了GaAs表面Ga、As比偏离的原因,提出了改进的方法.     

半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响

在位错密度不同的LEC半绝缘（SI）GaAs衬底上离子注入制做MESFETs，观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响．结果表明，衬底中高位错密度可以抑制旁栅效应．     

GaAs MMIC射频开关设计与研制

介绍了ＧａＡｓＭＭＩＣＲＦ开关的设计方法,在这种方法中,把ＭＥＳＦＥＴ当作一个两端口网络处理,直接提取开与关两种状态下网络（ＭＥＳＦＥＴ）的Ｓ参数,应用Ｓ参数进行开关电路的ＣＡＤ。这种设计方法更准确,更简单,容易实现。文中还给出了ＧａＡｓＭＭＩＣＲＦ开关的研制结果。