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目的探讨经皮二尖瓣球囊成形术(PBMV)并发症发生的原因及防治措施.方法回顾性分析1 311例PBMV中的42例并发症.结果并发症总发生率为3.2%(42/1 311),其中心房颤动0.8%(10/1 311),急性心包填塞0.31%(4/1 311),重度二尖瓣关闭不全0.46%(6/1 311),股动静脉瘘0.69%(9/1 311),急性肺水肿0.23%(3/1 311),医源性房间隔缺损0.23%(3/1 311),冠状动脉空气栓塞、下肢动脉血栓形成及一过性脑栓塞均为0.15%(各为2/1 311 相似文献
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用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6~ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b)的影响 相似文献
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用光荧光和时间分辨光谱技术研究了MEB生长立方In1-xGa1-xN(x=0.150.26)外延材料的稳态和瞬态发光特性。实验表明InGaN发光主要来自局域激子发光,局域化是由合金无序造成的,相应局域化能量为60meV左右。荧光衰退呈现双指数特性,快过程(50ps,12K)是自由激子的快速驰豫引起的,而慢过程(200 ̄270ps,12K)则对应局域激子发光,其荧光寿命随温度缓变反映了激子发光的强局 相似文献
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