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1
1.
低剂量率下MOS器件的辐照效应
总被引:5,自引:1,他引:4
刘传洋
张廷庆
刘家璐
王剑屏
黄智
徐娜军
何宝平
彭宏论
姚育娟
王宝成
《微电子学》
2002,32(1):29-33
对MOS器件在低剂量率γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比。结果表明,偏置在MOS器件栅氧化层内产生电场,增强了辐照产生电子-空穴对的分离,同时,影响了正电荷(包括空穴和氢离子)的运动状态;此外,偏置对退火同样有促进作用。
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