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在CMOS工艺超浅结形成过程中,中、低能离子注入的剂量效应直接影响杂质浓度的分布和超浅结的形成.文中基于实验数据对剂量效应对注入离子浓度分布曲线的影响进行了分析,这种影响随着注入粒子种类的改变而表现在不同的方面.同时运用分子动力学方法对剂量效应进行了模拟,模拟结果很好地符合了实验数据.  相似文献   
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施小康  于民  石浩  黄如  张兴 《半导体学报》2004,25(3):346-350
在CMOS工艺超浅结形成过程中,中、低能离子注入的剂量效应直接影响杂质浓度的分布和超浅结的形成.文中基于实验数据对剂量效应对注入离子浓度分布曲线的影响进行了分析,这种影响随着注入粒子种类的改变而表现在不同的方面.同时运用分子动力学方法对剂量效应进行了模拟,模拟结果很好地符合了实验数据.  相似文献   
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