新型高性能调频发射机的研究

介绍了一种全新的FM调制器结构.该调制器基于小数分频锁相环技术,并在电荷泵单元中引入额外偏差电流消除电荷泵失配对带内噪声的影响.该芯片采用CSMC 0.5μm DPTM CMOS工艺,测试结果表明,其SNR≥82dB,THD≤0.08,最大带外辐射能量低于-90dBc/Hz.此外,该芯片还采用自动频率调整的方法避免调节片外电感.该芯片的这些特点十分适合调频发射的要求.     

一种采用数字激励测试的MASH结构ΣΔ模数转换器

介绍了一种采用数字激励源测试的MASH(MultistAge noise SHaping)2-2结构ΣΔ模数转换器。为了简化测试过程,降低测试成本,该模数转换器加入辅助测试电路,无需高精度的测试仪器,仍可测得ΣΔ模数转换器性能参数。文中对采用数字激励源测试的原理进行阐述,并对MASH2-2结构ΣΔ模数转换器进行设计。该转换器采用1st Silicon0.25μm1P4M工艺,在电源电压3V,过采样时钟频率6.144MHz的条件下,利用传统的模拟测试和数字激励源测试证明其在0~20kHz频率范围内,SNDR>89dB。测试的结果证明了采用数字激励测试方案的正确性。     

一种低带内相位噪声的立体声FM合成器

研制一种低带内相位噪声的立体声FM频率合成器,该合成器基于小数分频锁相环技术,利用闭环方式对载波信号进行调制,显著提高系统的THD。采用CSMC0.5μm DPTM CMOS工艺对其设计,系统测试结果表明,立体声解调后SNR>70dB,THD<0.08,立体声分离度>40dB,最大带外辐射能量低于-90dBc/Hz。以上这些特性完全符合立体声发射机的要求。     

基于Σ△调制技术的CPFSK调制芯片设计

采用Σ△调制技术的小数分频频率合成器设计了CPFSK调制电路,对调制电路的原理以及噪声性能进行了细致的分析.芯片集成了2RC波形成形电路、三阶单级Σ△调制器、双模分频器、鉴频鉴相器、电荷泵和压控振荡器,在四电平2RC-CP FSK调制时,16 kHz的带宽内可以实现25.6 kbps的信息速率传输.电路采用0.35μm标准CMOS工艺实现,调节片外电感,芯片最高工作频率可以到200 MHz.     

开关电流双二次滤波器的设计

提出了一种开关电流双二次滤波器的设计方法 ,用该方法所设计的滤波器的特征频率ω0 和品质因数Q只与 MOS管的尺寸之比有关。通过调整 MOS管的尺寸可改变滤波器的参数 ,电路级仿真表明所提设计方法正确。     

基于ΣΔ调制技术的CPFSK调制芯片设计

采用ΣΔ调制技术的小数分频频率合成器设计了CPFSK调制电路,对调制电路的原理以及噪声性能进行了细致的分析。芯片集成了2RC波形成形电路、三阶单级ΣΔ调制器、双模分频器、鉴频鉴相器、电荷泵和压控振荡器,在四电平2RC-CPFSK调制时,16kHz的带宽内可以实现25.6kbps的信息速率传输。电路采用0.35μm标准CMOS工艺实现,调节片外电感,芯片最高工作频率可以到200MHz。     

一种新型的超低THD，低功耗CMOS音频功率放大器

提出了一种新型的系统矫正结构CMOS音频功率放大器.该放大器是由4个单端运放组成的伪差分结构.相对于传统的CMOS功率放大器,它具有低功耗、超低THD、易于补偿、驱动能力强等优点.采用1st silicon0.25μm 1P4M工艺制备,在3V电源电压下,驱动8Ω‖ 300pF的负载,其输出摆幅可以达到4Vpp,静态功耗小于3mW.在1kHz的正弦波激励下,其THD小于0.003%.还提出了一种新型的过流保护电路,可以对片内大功率输出级电路进行有效的保护.     

一种新型的超低THD,低功耗CMOS音频功率放大器

提出了一种新型的系统矫正结构CMOS音频功率放大器.该放大器是由4个单端运放组成的伪差分结构.相对于传统的CMOS功率放大器,它具有低功耗、超低THD、易于补偿、驱动能力强等优点.采用1st silicon0.25μm 1P4M工艺制备,在3V电源电压下,驱动8Ω‖ 300pF的负载,其输出摆幅可以达到4Vpp,静态功耗小于3mW.在1kHz的正弦波激励下,其THD小于0.003%.还提出了一种新型的过流保护电路,可以对片内大功率输出级电路进行有效的保护.     

新型高性能调频发射机的研究

介绍了一种全新的FM调制器结构.该调制器基于小数分频锁相环技术,并在电荷泵单元中引入额外偏差电流消除电荷泵失配对带内噪声的影响.该芯片采用CSMC 0.5μm DPTM CMOS工艺,测试结果表明,其SNR≥82dB,THD≤0.08,最大带外辐射能量低于-90dBc/Hz.此外,该芯片还采用自动频率调整的方法避免调节片外电感.该芯片的这些特点十分适合调频发射的要求.