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1.
用"相反转"乳液接枝共聚合法合成了三元乙丙橡胶与苯乙烯-丙烯腈共聚单体的接枝共聚物(EPDM-g-SAN),将其与苯乙烯-丙烯腈共聚物(SAN)树脂共混制备了耐天候老化黄变性能优异的高抗冲工程塑料(AES)。研究了An在共单体中的比率及EPDM/St-An的配比对接枝反应行为及AES的缺口冲击强度的影响。结果表明,随着An比率的增加,单体转化率(CR)出现峰值,其中最高CR为97.5%,接枝率(GR)与接枝效率(GE)则逐渐提高;AES的缺口冲击强度在An的质量百分比为35%~40%范围内出现峰值,其中最大冲击强度为53.0 kJ/m2。SEM和TEM分析表明,An比率为35%的EPDM-g-SAN在SAN树脂基体中有良好的分散性,相界面结合牢固,并证实其AES的增韧机理既有空穴化又有剪切屈服。 相似文献
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4.
ZnO基薄膜晶体管的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。 相似文献
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描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的.通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性.得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80~500 ns,VF控制在0.9~1.3 V.不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片.分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因. 相似文献
10.
聚对苯二甲酰癸二胺的合成与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
由对苯二甲酸癸二胺盐合成了高特性黏数的聚对苯二甲酰癸二胺(PA10T),用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、核磁共振和示差扫描量热仪对预聚中间产物和最终产物进行了表征,用凝胶渗透色谱测定 PA10T 聚合物的相对分子质量及其分布,并通过加入第三单体对 PA10T 进行共聚改性。表征结果显示,所合成的聚合物为 PA10T,预聚中间产物的 FTIR 谱图中含有对苯二甲酸癸二胺盐和 PA10T 的特征吸收峰;PA10T 出现了熔融双峰的现象,经增黏后的 PA10T 的熔点比 PA10T 预聚物的熔点有很大幅度的提高;经共聚改性后的 PA10T 共聚物的熔点、结晶温度和熔融热明显降低。 相似文献