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本文主要介绍我们研制的CBE气态源炉和在我们与沈阳科学仪器厂联合研制的 CBE系统上的使用结果。并简介国际上气态源炉的研制概况。 相似文献
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本文以开发长波长半导体光电子材料为目的,对GaAs1-xSbx/GaAs这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究,利用国产MBEIII型设备外延生长了全组分的GaAs1-xSbx材料,化学热力学数据分析表明,Sb结合到GaAssb中的速率比As高得多,实验表明,合金组分可由Sb/Ga束流比控制,也发现Sb束流的支配作用随温度升高而降低.利用TEM和RBS技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量,实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸,可以获得较高晶体质量的外延层. 相似文献
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电缆局部放电测量常见干扰及抑制措施分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文从电力电缆局部放电测量要求和试验特点分析测量中干扰的来源和途径,分析和阐述各种干扰的抑制措施,并把我个人对电缆局部放电测量干扰及抑制办法一些认识以书面形式表达出来,与同行一起探讨、研究,同时,引发同行关注,在测量系统设计、安装和使用过程中抑制测量干扰重要性和必要性。 相似文献
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在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10~(15)cm~(-3),μ_(300K)=280cm~2/V·s,μ_(77K)=5000cm~2/v·s,基本没有表面椭圆缺陷,InGaAs/GaAs多量子阱的x光双晶衍射有10个卫星峰,光吸收谱有明显子带吸收。 相似文献
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Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在冷壁式不锈钢超高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 (LPCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si(1 0 0 )和 Si(1 1 1 )晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅 (3 C-Si C)外延材料 ,利用反射高能电子衍射 (RHEED)和扫描电镜 (SEM)技术详细研究了 Si衬底的碳化过程、碳化层的表面形貌及缺陷结构 ,获得了界面平整光滑、没有空洞形成的 3 C-Si C外延材料 ,并采用 X-射线衍射 (XRD)、双晶 X-射线衍射 (DXRD)和霍尔(Hall)测试等技术研究了外延材料的结构和电学特性 相似文献
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在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制 ,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长 Si Ge/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的 Si Ge/Si HBT外延材料 ,可将硼杂质较好地限制在 Si Ge合金基区内 ,并能有效地提高磷烷对 N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率 ,获得了理想 N、P型杂质分布的 Si Ge/Si HBT外延材料 相似文献
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文中阐述了轴承疲劳磁性报警装置的结构原理及有关计算方法。用41套7208轴承进行了试验,其结果是报警判断出疲劳破坏36套(占疲劳损坏轴承总数的87.8%),30次有效报警中有24次判断出轴承疲劳(占有效报警次数的80%)。疲劳轴承中最小剥落面积0.5毫米~2,深度约0.1毫米。 相似文献