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在 n 型砷化镓外延层的汽相生长中,硫是一个常用的掺杂剂。最简单的方法是用硫化氢作为汽相掺杂剂。用氢稀释的这种气体可以购买到,并用可变泄孔送进淀积系统中。但是,由于泄漏速度的不可逆的变化,要得到恰当限量的以及可重复的掺杂剂浓度是困难的。实验已表明,在真空系统中常用的可变泄漏(Varian,Leybold)只能校准到一个数量级之内。其他方法例如用精密计量阀和转子法量计逐级稀释掺杂气体,也需大量的设备和长时间的校准。参考资料中关于气相中硫化氢浓度和外延膜中的施主浓度之间的关系方面的数据。存在着大量矛盾,多半是由这些问题所造成。 相似文献
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火为人类带来了进步,也为人类带来了灾害,人类的发展始终没有离开过火也始终受到火灾的侵扰,时至今日,火灾依旧是人们生活中最危险、最常发生、最具破坏性的灾难之一。而随着世界人口密集化发展,一场火灾带来的损失也越来越严重。本文主要介绍了民用建筑中总平面布局和地下室的消防设计问题。 相似文献
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随着基础建设的不断增加,公路工程合同管理在公路工程建设中起着至关重要的作用。本文就公路工程合同管理中存在的问题进行了分析和总结,并针对其存在的不足提出了相应的加强措施,以供同仁参考。 相似文献
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日本通产省于1984年4月27日召开了产业结构审议会产业资金部会议。会议审议并通过了关于1984年度设备投资计划的答辩案。此案确定1984年度通产省所属主要企业设备投资计划为工程基金118904亿日元(比1983年度预算增加4.9%)。1984年度计划未定的企业除外,总投资额为117912亿日元(比1983年度预算增加了7.1%)。其中,制造业的设备投资1983年 相似文献
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本文用双室Ga/AsCl_3/H_2开管系统实现了各种等电子掺杂浓度的GaAs汽相外延,并首次对此进行了较为详细的动力学理论和实验研究。对少量的In在GaAs外延层中的行为及其机理进行了初步探讨,提出了等电子掺杂使位错线附近In杂质凝聚,导致外延层中位错密度减小的观点,通过等电子掺杂技术,与相同工艺条件下的普通外延层相比,其迁移率提高60%,位错密度下降1/2,杂质含量和深能级信号明显减少。以此为缓冲层,制备的Si/n~-/n/n~+多层结构GaAs材料,用于高频低噪声场效应器件,夹断干脆,饱和特性好,单位栅宽跨导提高20%。 相似文献
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本文主要探讨砷化镓薄层外延硫掺杂量的控制问题。讨论了掺杂混合溶液S_2Cl_2/AsCl_3中,S_2Cl_2含量逐渐减少的原因。在科研实践的基础上,将复杂的薄层外延硫掺杂行为,简化为掺杂流量V=CF的线性公式,其中F=As/S×10~(-4),C为反应系数。讨论了F值的大小问题,认为:F=2~5的掺杂混合溶液较为适用。进一步建立了V_2=KU_1V_1,根据上一炉外延片的击穿电压U_1与掺杂流量V_1来调整下一炉掺杂流量V_2的公式。运用这两个公式为我们科研实践服务,对稳定科研工艺是有一定的效果的。 相似文献
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转化生长因子-β1(TGF-β1)参与糖尿病肾病(DN)的进程,现已作为临床慢性肾病进展的重要生物学标志物和治疗靶标。TGF-β1通过Smads和MAPKs信号通路促进肾脏纤维化、细胞外基质集聚以及足细胞损伤等。糖尿病实验动物、糖尿病肾病患者Smad3、p38MAPK表达增加,促进了肾脏的纤维化,Smad7抑制肾脏纤维化的进程,对TGF-β1/Smads通路起着负向调控作用。抑制p38MAPK信号通路可减少纤维粘连蛋白(FN)的表达。由于毒副作用等原因,TGF-β1抑制剂大多停留在临床前研究阶段。 相似文献
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本文进行了 GaAs/AsCl_3/H_2系统的低压低温生长实验,对影响界面参数的因素进行了理论分析。得到了陡峭的界面浓度分布和较高界面迁移率的材料,并获得了好的器件结果。 相似文献
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