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本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍
了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势
以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子
器件应用前景。 相似文献
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对Spin&阵列阴极表面涂敷ZrC薄膜后的发射性能进行了研究。本实验采用原位沉积的方法实现ZrC薄膜的涂敷,所谓原位沉积就是在沉积完Mo尖锥后,立刻沉积ZrC薄膜,其中,ZrC厚度为5~10nm。涂敷ZrC薄膜后的Spindt阵列阴极(ZrC FEA)在相同条件下与Mo阵列相比呈现出良好的发射性能,如相同栅极电压下的发射电流密度升高,开启电压降低。为清洁和光滑发射体表面,本实验在测试前对ZrC FEA进行了场解吸附处理,并比较了ZrC FEA在处理前后发射性能的变化。 相似文献
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设计了一种基于场发射阵列阴极的X射线管结构。制备了金属尖锥阵列场发射阴极,结果表明该阴极具有良好的电子发射能力和稳定性,在阳极电压为3400 V的条件下,发射电流达1.46 mA,电流密度达516.4 mA/cm~2,适合应用于X射线管中。利用CST粒子工作室仿真软件对X射线管的电子光学系统进行计算,得到了可行的结构方案,结构由阵列阴极、聚焦极和阳极组成,阴极与聚焦极等电位,该结构中阴极面积为10 mm×2 mm,总发射电流约为10 mA,满足X射线管的发射要求。阳极电子束斑大小为1 mm×1 mm,可得到有效焦点大小为0.58 mm×1 mm的X射线。研究为进一步制造高分辨率的场发射X射线管打下了基础。 相似文献
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