排序方式: 共有27条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
报导了采用全MOCVD生长的1.55μm的单片集成DFB=LD/EA组件的 在DWDM系统上的传输测试结果,出纤功率Pf≥2.5mW@If=75mA,边模抑制比SMSR〉35dB,调制器反向偏压为2.5V时的消光比为14dB,该发射模块在2.5Gb/sDWDM系统上进行了传输试验,传输240Km后无误码,其通道代价≤1dB@BER=10^-12。 相似文献
2.
3.
本文在已经报道的采用直接集成方法制作的1.55μmInGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性进行了改进,并采用标准14脚碟型管壳对集成器件进行了封装。封装后的发射模块阈值电流约为20 ̄30mA,边模抑制比大于40dB,耦合输出光功率大于2mV,在3V的反向调制民压下消光比约为17dB。我们还在2.5Gb/s波分复用系统上对集成器件进行了传输 相似文献
4.
5.
6.
本文从理论上对混合应变量子结构(既有张应变量子阱又有压应变量子阱)的光学限制因子进行了讨论。由于垒层宽度较小,其变化量也不大,对光学影响相对小一些。当各层的折射率一定时,对称和非对称结构的最佳波导层厚度差不多,限制因子与波导层厚度的关系也类似,在最佳波导层厚度附近的区域,ГTM/ГTE比值变化对波导层厚比较敏感,这点可以用于偏振无关放大器的设计中,因为我们能够通过调节波导层厚度改变TM/TE模式增 相似文献
7.
李同宁 《山东建材学院学报》1999,13(1):70-72
提出了一种用DEA模型(C^2R)评价和控制建设项目投资估算精度的方法。该方法根据拟投资项目在评价模型中的最优目标函数值来判断其投资估算的合理性,最后给出了一个应用案例。 相似文献
8.
介绍了应用于波分复用(WDM)系统的多波长分布反馈(DFB)激光器阵列的理论基础和设计方法。讨论了制作过程中出现的一些问题。 相似文献
9.
我们用AIXTRON生产的LP-MOCVD系统进行了InCaAs(P)/InP材料的生长研究,用X-ray双晶衍射仪、PL光荧光谱仪、α-台阶仪及C-V仪等分析手段,研究生长工艺对材料特性的影响,取得了很好的结果。 相似文献
10.
MOVPE生长1.3 μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器研究 总被引:1,自引:1,他引:0
通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数 ,降低了材料中的氧杂质含量 ,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,室温光致发光半宽FWHM =2 6meV。采用此外延材料成功制作了 1 3μm无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器 ,器件测试结果为 :激射波长 :12 90nm≤ λ≤ 1330nm ;阈值电流 :Ith(2 5℃ )≤15mA ;Ith(85℃ )≤ 2 5mA ;量子效率变化 :Δηex(2 5~ 85℃ )≤ 1 0dB。 相似文献