利用有色散双晶衍射测量完整或近完整晶体的单晶反射系数

用DuMond图解法分析了各种不同排列双晶摆动曲线的形成机理.提出了用有色散的双晶衍射,测量完整或近完整晶体单晶反射系数的方法,并进行了计算机模拟和实验验证.     

Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究

本文通过Ｘ射线双晶衍射和计算机模拟摇摆曲线方法研究了在Ｓｉ（００１）上生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ（ｘ≈０．４６）应变层超晶格在不同退火条件下的稳定性和结构变化，结果表明：在退火过程中，应变层发生了应变弛豫，其弛豫时间常数与退火温度有关，弛豫的激活能为０．５５ｅＶ．同时，退火过程中超晶格的层与层之间发生了互扩散，直至为均一成份的合金层，平均扩散激活能为２．７ｅＶ，９５０℃时的扩散系数ＤＴ＝９５０℃＝１．１e－２０ｍ２／ｓ．在退火过程中外延层的晶体完整性明显下降．     

碳钢大气腐蚀时表面结露行为的某些影响因素

利用作者建立的能直接观察和记录金属表面结露过程的实验室装置,进一步考察了表面划痕,各种尘埃、盐玷污等多种因素对于碳钢表面上结露行为的影响,以加深对金属大气腐蚀初期过程的认识。     

X 射线双晶衍射在新材料研究中的应用

本文介绍了 X 射线双晶衍射术的基本原理。描述了双晶衍射技术在半异体材料的离子注入、单层及多层异质结外延膜、应变超晶格等新型材料研究中的应用。给出了双晶衍射对 Si 中高能 B~+注入和 In_xGa_(1-x)As/GaAs 超晶格研究的实例。     

测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n~v,-n~v)排列方法

依据双晶摇摆曲线的形成原理,提出了一种高分辨率,高灵敏度的测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n~v,—n~v)排列方法。考虑到掠入射情形的色散效应,对掠射角的选择进行了讨论。对Ga注入Si单晶样品的测定证实了(n~v—n~v)排列的优越性,摇摆曲线上得到了未曾见过的细微振荡。     

GaInAsP/InP异质结液相外延层晶格匹配的研究

正 (一)引言 GaxIn1-xAsyP1-y四元合金材料在很宽的组分变化范围内     

单晶外延层厚度的X射线双晶衍射测定

本文在利用X射线动力学和运动学衍射理论对单晶外延层材料的双晶摇摆曲线进行计算分析的基础上,给出了测定单晶外延层厚度和质量的方法.当外延层的厚度较薄时,外延层衍射峰的衍射强度正比于厚度的平方,半峰宽反比于厚度.当厚度较厚时,衍射峰的强度增加逐渐趋于饱和,而半峰宽趋于材料的本征半峰宽.外延层的干涉小峰间距反比于外延层的厚度.通过测量样品的双晶摇摆曲线上干涉峰间距,峰强比和半峰宽可以求得外延层的厚度,并对外延层的质量做出评价.     

GaAs中Si~+注入的X射线双晶衍射研究

本文用X射线双晶衍射术,结合摇摆曲线的计算机模拟和电学测量,研究了 180keV Si+注入GaAs(100)样品及其退火过程中的结构变化.结果表明,注入态时Si原子基本上处在基体中的间隙位上,使点阵产生膨胀,在退火过程中逐渐进入替代位,但这一替代过程进行得并不彻底.当剂量高于 1×10~(13)cm~(-2)时,注入态就显著地产生了间隙Si原子进入替代位的过程.当剂量达到 1×10~(15)cm~(-2)时,经 800℃ 0.5 小时的炉退火仍然不能消除离子注入所引起的损伤和应变,大量Si原子留在间隙位上,使激活率难以提高.分析表明,空位和应力在Si原子从间隙位到替代位的过程中起了很大的作用,是GaAs中Si离子注入产生饱和现象的.主要原因.     

THE STUDY OF LATTICE MATCH IN GaInAsP/InP HETEROJUNCTION LPE LAYERS

The effects of the growth conditions of two-phase solution liquid phase epitaxy(LPE)(i.e.growth temperature,cooling rates and solution composition)on lattice mismatch and band-gapwavelength in GaInAsP/InP heterojunction LPE layers have been investigated by X-ray double-crystal diffractometry and double-beam spectrophotometry.The stress in the grown interface freeof misfit dislocations and lattice mismatch at growth temperature have been calculated.