GaAs中子嬗变掺杂的初步研究

采用未掺杂的GaAs晶体进行了中子嬗变掺杂试验.热退火处理能有效地消除辐照引入的晶格损伤.辐照后的晶体经800℃在氢气气氛下处理2.5小时,掺杂浓度与预期掺杂量接近.采用电化学C-V法测定掺杂均匀性,结果表明掺杂浓度的相对标准偏差小于5％.     

GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析

中子嬗变掺杂是一种新掺杂方法,能将掺杂剂均匀分布引入晶体内。如GaAs在热中子作用下其同位素被激活为放射性核素,β衰变后变成稳定的Ge和Se,在此晶体作为施主杂质。辐照中晶格原子受到高能粒子的反冲,使晶格结构紊乱,经退火得到恢复后,杂质原子才能起载流子作用。将未掺杂的GaAs单晶在轻水堆中照射,冷却后的晶体按〈100〉定向切片,经抛光清洁处理后在氢气氛下进行等时(30分钟)不同温度400—800℃的热退火。利用1.5MeV     

GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析

本文利用1.5MeVHe~+离子的卢瑟福背散射沟道效应技术,直接观察了GaAs中子嬗变掺杂样品的辐射损伤和不同退火条件下晶格损伤的恢复情况,井通过沟道分析的结果与合尔法测定的电学参数的比较,对样品的退火效应进行了研究.     

基于虚拟现实的无人机弹射系统设计

虚拟现实是近几十年来迅速发展起来的新技术,它与教育学的结合使教育产生了革命性的变化,尤其对于机械学科的影响更是深远.由于无人机弹射系统体积庞大、操作危险性高、操作地点偏远,对设计人员的专业素质要求也比较高,国内工厂、院校无法普及针对该大型设备的职业化培训.针对此问题,本文利用虚拟现实技术,开发了一套基于unity的无人机弹射学习系统,把工作过程和原理生动的展现在学生的面前,让学生对无人机弹射系统有详细地观察,同时能够进行重复性地操作以达到实训的效果.