转炉合金最小成本控制模型

介绍了基于合金最小成本的转炉炼钢钢水成分调整模型工应用于宝钢炼钢在线生产控制的情况。模型给出了在满足目标成分等工艺要求下，成本最小的合金投入组合及合金投入量；计算了合金加入钢包后引起钢水温度、重量等的变化，为降低生产成本（合金投入），提高出钢成分控制精度提供了有效的途径。     

PAN－S与镉的显色反应及其应用

本文研究了１－（２－吡啶偶氮）－２－萘酚－磺酸（ＰＡＮ－Ｓ）与镉的显色条件．在ｐＨ为１０的缓冲介质中显色，配合物的最大吸收峰位于５３６ｎｍ波长处，表现摩尔吸光系数ε＝２．９×１０４Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１．镉量在０～５０μｇ／２５ｍＬ范围内符合比耳定律．用巯基棉分离水中的常见离子富集镉，选择性好．本方法用于工厂排放水中微量镉的测定，结果今人满意．     

长链支化聚丙烯结晶行为的流变学研究

以长链支化聚丙烯(LCBPP)为对象,用流变学方法研究了LCBPP的等温结晶行为和剪切流动诱导结晶行为。结果表明:在LCBPP的等温结晶过程中,长链支化结构起到了成核作用,从而加速了结晶过程,且支化度越高,加速效应越明显;对LCBPP施加预剪切流场,其结晶速度明显加快,且支化度越高,LCBPP结晶行为对流场的响应越敏感,即使在很低的剪切速率下,结晶诱导时间也会明显缩短。     

多约束的箱子大小可变的装箱问题

作为经典装箱问题的扩展,带有约束条件的装箱问题有着很强的应用背景。从钢铁公司板坯入库引发的装箱问题中,物品除了重量这一参数,还引入了特性和种类等参数。将板坯入库归结为多约束的箱子大小可变的装箱问题后,建立了数学模型,将经典装箱算法进行了推广,构建了新的启发式算法A,它对输入物品按特性进行预处理,再进行装箱。理论分析了NFD,FFD,算法A的最坏情况的性能,并对这三种算法进行了数值模拟,得出在相关特性均匀分布下,算法A的性能最好。     

地基基础设计中的三维地层可视化技术及应用

地基基础设计往往通过勘探手段获取地层信息并通过一维、二维图件形式来抽象地了解建筑场地的土层分布状况。在地基基础设计中引入三维地层可视化技术可更加形象、全面地展示地层分布情况。本文对三维地层可视化过程及实现方法进行了深入研究,并成功将该技术应用到地基基础设计之中,为基础布置和地基基础标高系统的校核提供了方便,也有效降低了地基基础设计的复杂度。     

天鹅蛋中主要致腐微生物的分离与鉴定

在贮藏期间,天鹅蛋容易被环境微生物通过蛋壳表面的气孔侵染而腐败,大大降低其市场价值。该研究从腐败天鹅蛋中分离得到5株细菌,对其进行形态、生理生化特性研究,并结合16s rRNA基因序列分析和系统发育树分析,最终分别鉴定为氧化节杆菌(Arthrobacter oxydansi)、成团泛菌(Pantoea agglomerans)、麦氏弧菌(Vibrio metschnikovii)、屎肠球菌(Enterococcus faecium)和粪产碱杆菌(Alcaligenes faecalis)。本研究为天鹅蛋的抗菌防腐贮藏提供了参考。      

表面活性剂对中性纤维素酶生物抛光的影响

主要研究几种不同类型表面活性剂对中性纤维素酶生物抛光效果的影响.以失重率为生物抛光效果指标进行单因素实验,最佳抛光条件:55℃、pH 6.5、中性纤维素酶0.1％(omf)、60 min、浴比1:10.其中,BZK、M2001、NSF-7、APG、CAB-35与DIC促进生物抛光,强弱顺序为CAB-35、DIC、NSF...     

云南电网小水电群地区电网低频振荡影响因素仿真分析

针对云南小水电群密集地区富余电力较多,而相应地区电网结构薄弱,实际运行中曾多次出现低频振荡的现象,基于南方电网2014年运行数据,对地区电网稳定特性进行仿真分析,研究电网低频振荡的主要影响因素,并提出防止地区电网低频振荡的相关措施及建议。     

“8·16”金楚双回线相继故障事件分析及思考

2013年8月16日,500 kV金楚双回线相继发生单永和单瞬故障,第二、三道防线先后正确动作采取了切机和解列线路措施,故障最终导致金安桥电厂与主网解列。结合现场录波和BPA软件仿真,对该起事件中第二、三道防线的动作情况进行了详细分析,提出了防线优化方案。同时网内梳理结果表明该类问题具有一定普遍性,为了尽可能的减少此类相继故障的影响,建议完善系统风险评估故障类型,并结合具体情况,研究、实施安全稳定防线优化方案。     

抗干扰AC/DC开关电源芯片的研究与设计

近年来,随着新能源技术的飞速发展,研发一种高效节能、使用年限长的电源芯片成为热点。AC/DC开关电源转换器源以其价格、效率、体积等优势在小功率电源领域得到了广泛应用。基于AC/DC开关电源转换器的工作原理,发现误差放大器对整个电源芯片的精度影响很大,介绍一种组合式的误差放大器,将轻载到满载的电压输出降低到40m V。提出了智能抗尖峰电路,减少了LEB结束与开关断开的时间差,提高安全性能。最后对本芯片进行试验测试,表明抗ESD能力达到10k V,芯片性能稳定。本方案可对今后电源芯片设计提供一定的技术参考。