大型多媒体视频LED显示系统

LED大屏幕显示系统是一种集计算机技术、电子技术、通信技术、图形视觉技术、色彩学等多种技术为一体的高科技产品,日益成为多媒体技术的重要分支。随着社会经济的飞速发展,在人流集中的场所,迫切需要一种能自由编辑显示的视频LED广告显示系统。在这个系统中,播放人员能够根据广告宣传和信息发布的需要,把视频、动画、图形、图象、文字、声音等有机结合起来,经过适当的编排,按预定方式在LED显示屏实时播放出来。为此我们以北京银河电脑公司的JMC-LED视频卡为核心设计了多媒体视频LED显示系统。 一、多媒体视频LED显示系统的技术难点 多媒体视频LED显示系统的核心是把视频信号送到计算机,然后把经过计算机处理后的多媒体信息传送到LED显示屏上显示出来。在实现这一目标的过程中,在技术上存在以下几个难点: ·视频信号的输入 为了把视频图象与其他图象结合起来,必须解决视频信号的输入和数字化问题,使计算机能够识别和处理。 ·视频图象、文字、图形、图象、动画、声音等的节目制作     

孙吴-嘉荫盆地淘淇河组湖底扇沉积特征

孙吴-嘉荫盆地沾河断陷下白垩统淘淇河组发育典型的湖底扇沉积.根据地化、岩芯、测井并结合粒度分析等资料,认为本区湖底扇发育于淡水还原环境中,将湖底扇进一步划分为内扇、中扇和外扇3个亚相以及6个微相.本区湖底扇主要发育于同生断裂控制的陡坡一侧,受控于同生断裂的幕式构造活动,保存在半深湖-深湖的滞水环境中,属于阵发型湖底扇.湖底扇相砾岩及砂岩易形成岩性圈闭,其中以中扇辫状沟道微相浊积岩系储集条件最佳.     

抚顺盆地始新世计军屯组油页岩贫富矿成矿机制

综合利用野外露头、岩石矿物组合、有机岩石学、元素地球化学等特征分析认为,抚顺盆地油页岩为湖相成因.该组油页岩上、下段含油率差别很大,上段富矿层发育大量结核,下段贫矿层发育大量的大植物化石和动物化石;油页岩段富矿有机质类型为I-II1型,而贫矿为II2型;w(V)/w(V Ni)在油页岩贫矿和富矿段均大于0.60,说明其处于厌氧的沉积环境,但富矿层比值明显大于贫矿层;w(Ni)/w(Co)和w(V)/w(Ni)在富矿油页岩表现非常稳定,在贫矿过渡为富矿过程中突然增加,并且一直保持到该段结束;油页岩段贫矿中陆源碎屑矿物含量以及Ti、Cu、Li、Rb、Pb、Ga、Cr、Zn等外源元素较富矿富集.研究表明油页岩段富矿为半深湖-深湖沉积,贫矿为浅湖沉积,正是由于两者沉积环境的差异导致了该组油页岩的贫富差距.     

一种差值及符号位编码数据压缩方法

物理实验中经常需要采集大量的实时数据，通过对数据的压缩可以节省宝贵的存储资源。本文针对数据的‘连续’性特点，提出了一种差值及符号位编码的方法，对一些数据可以实现一定的压缩效率。     

沁水盆地致密气成藏条件与勘探潜力研究

沁水盆地常规天然气和致密气资源潜力目前仍存在较大争议。为探索沁水盆地致密气勘探潜力,对沁水盆地中南部已钻煤层气参数井重新进行了测井解释,发现了多个致密气可疑层,并重点从烃源岩条件和储集条件对该盆地致密气成藏条件进行了分析,探讨了该盆地致密气勘探潜力。研究表明,沁水盆地具有较好的致密气成藏条件,晚石炭世-早二叠世沁水盆地整体处于海陆过渡相环境,发育了多套煤系烃源岩,具有广布式分布、大面积生烃的特征|上二叠统发育多套三角洲平原分流河道相和河流相砂岩储层,与分流间湾相和湖泊相泥岩形成较好的储盖组合。综合来看,沁水盆地具有较好的致密气烃源条件和储盖条件,可以形成下生上储型致密气藏,具有一定的勘探潜力,应引起重视。       

氯离子对土建工程混凝土的危害及其控制措施

目前,众多的建筑物坍塌事件造成的事故触目惊心,经业内专家分析梳理其中因氯离子对土建工程混凝土造成的危害占比很大。可见,钢筋混凝土结构的安全、可靠度和耐久性等方面起着决定性的作用。故而,需从源头控制氯离子的含量,并采取一些技术防护措施。     

He~+注入Si(100)缺陷退火效应的慢正电子束研究

用慢正电子束探针测量了经剂量为 5× 10 16cm-2 的 140keVHe+ 注入的Si(10 0 )单晶S参数与正电子入射能量的关系 ,得到了注入产生缺陷的分布规律 ,发现近表面区域损伤不大 ,缺陷主要是直径小于 1nm的空位或空位团 ,较深的射程末端区域损伤严重 ,缺陷主要是微空洞和微气泡。对退火效应的研究表明 ,低温下退火空位缺陷得到了很好的消除 ,而高温下退火微空洞和微气泡发生融合 ,而且尺度增加     

用单能慢正电子束测量Si中的正电子迁移率

用单能慢正电子束流作为探针,测量了Ｐ型Ｓｉ中不同Ｂ杂质浓度的正电子湮没Ｓ参数和正电子能量的函数关系。在实验上系统地研究了正电子扩散长度和迁移率随半导体中杂质浓度的变化规律,观察到杂质的掺入不影响缺陷的开体积,但正电子在硅中的迁移率随杂质浓度的增加而减小。     

表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究

针对GaN HEMT电流崩塌物理效应,测试了各种条件下器件I-V特性。发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23.8%,且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降,并且获得了其输出电流与脉冲宽度W和周期T的定量关系;在漏脉冲测试条件下,器件输出电流有所增大,并随着脉冲宽度减小而缓慢增大。实验结果,可用器件栅漏之间表面态充放电的原理来解释所观察到的测试现象和电流崩塌物理。     

分子束外延生长硅薄膜缺陷性质的单能慢正电子束研究

用慢正电子束流作为探针,测量了不同温度下用分子束外延生长的硅薄膜的正电子湮没Ｓ参数,讨论了外延层质量与生长温度及膜层厚度的关系,所得结论为：对于几百纳米厚度的分子束外延生长层,５００℃左右是一个比较合适的生长温度范围。温度过低,膜中将会含有大量的空位型缺陷;温度太高,杂质在材料中会有明显的扩散行为,对产品性能发生较大影响。