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晶种对氢氧化铝转相和热压烧结氧化铝晶形变化的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
以氢氧化铝为初始原料,通过球磨过程中高纯氧化铝磨介的磨屑作为晶种引入氢氧化铝中.引入的α-Al2O3品种使氢氧化铝于1100℃×2h的条件下转变为α相氧化铝.而且随着α-Al2O3品种引入量的增加,煅烧后氧化铝颗粒的平均粒径减小,颗粒尺寸分布均匀.煅烧得到的氧化铝超细粉经热压烧结后,Al2O3晶粒形貌随品种的引入量的不同而发生变化.未引入α-Al2O3品种的条件下,晶粒形状主要为等轴状;晶种引入后,晶粒发育成六角片状;而且随着晶种引入量进一步增加时,六角片状晶粒尺寸减小,当晶种数量增加到20wt%以上时,晶粒发育生长为长柱状. 相似文献
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通过催化剂辅助有机前驱体热解,合成了单晶Si3N4纳米带。其工艺主要包括3个步骤:有机前驱体低温交联固化、高能球磨粉碎和高温热解。采用SEM、XRD、EDS、TEM和HRTEM等分析手段对Si3N4纳米带进行了详细的表征,对Si3N4纳米带的生长机制进行了深入的探讨。 相似文献
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采用有机前驱体制备纳米材料工艺,制备出不同Al掺杂浓度的6H-SiC纳米线(Al/6H-SiC).用HRTEM、EDX、XRD等对纳米线进行了表征,发现随着起始材料中异丙醇铝含量的增加,所制备的纳米线中的Al浓度也在增加,最高可达到1.25%, HRTEM显示晶格间距为0.26 nm和0.25 nm,对应为6H-SiC的(101)和(102)面间距,Si、C原子比为1∶1.拉曼光谱得到这种6H-SiC的声子能量为100 meV,由吸收光谱带边吸收外推计算得到Al/6H-SiC纳米线光学带隙,掺杂浓度越大,吸收边红移越大. 相似文献
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石墨烯外延生长及其器件应用研究进展 总被引:3,自引:0,他引:3
石墨烯具有优异的物理和电学性能, 已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和热点之一. 本文简单介绍了石墨烯的物理及电学特性, 详细评述了在众多制备方法中最有希望实现石墨烯大面积、高质量的外延生长技术, 系统论述了不同SiC和金属衬底外延生长石墨烯的研究进展, 并简要概述了石墨烯在场效应晶体管、发光二极管、超级电容器及锂离子电池等光电器件方面的最新研究进展. 外延生长法已经初步实现了从纳米、微米、厘米量级石墨烯的成功制备, 同时可实现其厚度从单层、双层到少数层的调控, 有望成为高质量、与传统电子工艺兼容、低成本、大面积的石墨烯宏量制备技术, 为其器件应用奠定基础. 相似文献
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