EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探

本文用光电导的实验方法对ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶中ＥＬ２能级的光淬灭过程进行了研究．通过对实验结果的分析，提出了一种解释ＥＬ２淬灭过程中ＥＰＣ现象起因的模型：光照前因补偿受主而已经电离的一部分ＥＬ２中心在近红外光照射下可通过从价带和其它深能级得到电子而被淬灭，使材料的费米能级下降，在价带中留下大量寿命很长的空穴，使光电导出现再上升．我们还发现ＥＰＣ的饱和值与材料的电子补偿度及热稳定性有一定的联系．     

Si:Pd深能级的研究

用三种钯源对p~+nn~+和n~+pp~+硅二极管进行了扩散掺杂,井用深能级电容瞬态谱仪(DLTS)对它们作了测量.在适当的工艺条件下,在各类样品中均观察到能量为E_c-0.37eV和E_c-0.62eV两个浓度居统治地位的新的电子陷阱能级.从实验上证明了以上两个能级确是由进入硅点阵中的钯杂质所引起,并确定了它们和文献报道过的Si:Pd 能级间的相互转化关系.由这些能级的产生条件,退火特性以及电学测量结果来看,这两个新能级应分别与硅中间隙钯所引起的两种不同荷电态的施主中心相对应.     

Sl-GaAs单晶的热稳定性研究

SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究了热稳定性差的不掺杂LEC SI-GaAs单晶.结果表明,原子吸收光谱分析发现此晶体存在6.7×10~(15)cm~(-3)Fe杂质,其他两种方法观察到一个～0.62eV深能级.文中推测这是与杂质Fe有关的深受主,认为它对不掺杂LBC SI-GaAs单晶的热稳定性可能有重大影响.     

深中心行为图形表示方法的探讨

利用几个特征能量参数,导出了表征SRH中心四个率参量相对比率大小的一组简单的关系式.这些关系能借助于几幅分区图形来形象地表示.以估算p-n结内深中心有效发射范围作为实例,说明了利用这样的图形来解决一些实际问题是很方便的.对早先已有的图形表示方法来说,可视为是一种发展和补充.     

一个证明SI-GaAs中EL2缺陷为双施主中心的方法

利用ＳＩＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测量ＳＩＧａＡｓ材料电学补偿度，进而对材料的热学稳定性进行评价的可能性。     

LPE-GaAs中0.72eV电子陷阱与生长条件的关系

本文采用DLTS方法,研究LPE-GaAs层中深电子陷阱(Es-0.72eV)的成因.通过改变外延生长条件,发现该电子陷阱的浓度明显受生长温度、降温速率及掺杂情况的影响.该陷阱中心可能是一个点缺陷和氧、碳杂质形成的络合物.     

Double Donor Behavior of EL2 Defect in Photoquenching Experiment

ＤｏｕｂｌｅＤｏｎｏｒＢｅｈａｖｉｏｒｏｆＥＬ２ＤｅｆｅｃｔｉｎＰｈｏｔｏｑｕｅｎｃｈｉｎｇＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔＺｈｏｕＢｉｎ１，２，ＹａｎｇＸｉｑｕａｎ１ａｎｄＷａｎｇＺｈａｎｇｕｏ１（周滨）（杨锡权）（王占国）１．ＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＳｅｍｉ...