排序方式: 共有42条查询结果,搜索用时 62 毫秒
1.
本文提出一种MEMS传感器,单片集成温度和气压的检测单元。该传感器采用SOI硅片的上层硅作为压阻薄膜,因此各管芯的薄膜厚度有良好的一致性。传统的背面体硅腐蚀方法未被采用,因为碱性溶液腐蚀体硅会在<111>面自停止,形成57.4°的斜坡,从而增大管芯面积,取而代之的是ICP深硅刻蚀。片上集成两个PN结,结区面积呈比例,可以实现温度检测功能。测试表明在-40-100℃之间都有良好的线性度,PN结的离子注入工艺与压阻注入工艺完全兼容,减少了工艺成本。 相似文献
2.
采用直接液体榆运-金属有机化合物化学气相沉积技术(DLI-MOCVD)制备Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜(PZT薄膜),并进行了相关研究,通过调节MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数(温度、压力、系统的气体(Ar,O2)流量、衬底转速、蠕动泵速),制备不同组分PZT薄膜(均匀性≥±95%,尺寸为2.54—20.32cm(1—8in),厚度为50—500nm).经XRD测试可见,PZT薄膜已形成钙钛矿结构.用SEM对其表面进行分析,结果表明,PZT薄膜表面致密均匀. 相似文献
3.
4.
5.
基于Z参数的微波晶体管高频噪声网络分析方法 总被引:1,自引:0,他引:1
For high-capacity wavelength division multiplexing(WDM) in optical fiber transmission systems, multi-wavelength light sources are needed to be operated at precisely-determined wavelength swith a fine separation of 0.8 or 1.6nm.Increasing efforts have been put into deve... 相似文献
6.
7.
8.
一种新型硅基厚膜压力/温度传感器的设计和制作 总被引:2,自引:0,他引:2
设计并制作了一种新型传感器,它包含压阻式压敏元件和热敏元件两部分.其中压敏元件采用比常规更厚的50μm硅杯薄膜(500μm× 500 μm),增大了体硅上高应力区的面积,在降低工艺要求的同时提高了线性测量范围和过载压力.压敏电阻设计为折线结构,采用优化的几何尺寸,并将其部分制作在高应力体硅上以获得更高灵敏度.体硅上的温敏电阻随压敏电阻利用同步注入工艺制作,减小了工艺复杂度.该器件工艺简单,成品率高,与标准IC工艺兼容.初步的测试结果表明器件具有良好的性能. 相似文献
9.
研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT器件,其性能为:β=60@VCE/IC=9V/300μA,β=100@5V/50mA,BVCBO=22V,ft/fmax=5.4GHz/7.7GHz@10指,3V/10mA.多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻,与CMOS工艺兼容且(因多晶发射极)无需发射极外延层的生长,这些优点使其适合于商业化生产.利用60指和120指的SiGe HBT制作了微波锗硅功率放大器.60指功放在900MHz和3.5V/0.2A偏置时在1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE=22dBm/11dB/26.1%.120指功放900MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE=33.3dBm (2.1W)/10.3dB/33.9%@11V/0.52A. 相似文献
10.