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1.
采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 法在I nGaAsP多量子阱/InP缓冲层/InGaAs层上沉积SiO2薄膜,通过N2气氛下快速热退火(RTA )方法实现无杂质空位扩散(IFVD)的量子阱混杂(QWI)。对不同退火温度下量子 阱增益峰值波长的蓝移特性进行了实验摸索,在780℃@80s的退火条 件下,可以获得最大72.8nm的相对波长 蓝移量,并且发现快速热退火RTA温度低于780℃以下时,LD区的波长 蓝移量随温 度变化基本能控制在10nm以内。 通过选取合适退火条件实现了光荧光(PL)峰值波长约50nm的蓝移量, 在选区制备出合适带隙波长材料的基 础上,在LD区制作全息光栅并二次外延P型掺杂电接触层后,采用标准化浅脊波导电吸收 调制(EAM)分布反馈 激光器(EML)工艺制备了1.5μm波长的EML管芯,器件阈值为 20m A,出光功率达到2mW@90mA,静态消光比在+6V反偏压下为9.5dB。 相似文献
2.
3.
用MOCVD技术在偏(1100)GaAs衬底上生长了发光波长在1.3μm的线状空间规则排列InAs量子点.光致发光实验表明,相对于正(100)衬底,偏(100)GaAs衬底上生长的InAs量子点具有更好的材料质量,光谱有更大的强度和更窄的线宽.为了得到发光波长为1.3μm的量子点,对比研究了不同In含量的InGaAs应力缓冲层(SBL)和应力盖层(SCL)的应力缓冲作用.结果表明,增加SCL中In含量能有效延伸量子点发光波长到1. 3μm,但是随着SBL中In的增加,发光波长变化不明显,并且材料质量明显下降. 相似文献
4.
研制了以InGaAlAs多量子阱为有源材料的InP基1.3μm波段高速直接调制分布反馈(DFB)激光器,单片集成了与DFB激光器区具有相同量子阱材料的分布式布拉格反射器(DBR)反馈区。室温下DFB有源区长度为200μm时器件的3 dB小信号直接调制带宽大于29 GHz。在速率为25 Gbit/s的非归零(NRZ)码数据调制下,光信号经10 km长的单模光纤传输后获得10-10误码率的功率代价在室温及80℃下均小于1 dB。激光器的有源区长度较大,有利于提高发光效率并且有助于减小电流热效应的不利影响。所研制的高速直接调制激光器是大容量短距光纤通信系统的理想光源,具有广阔的应用前景。 相似文献
5.
6.
7.
梁松 《石油工业计算机应用》2011,(4)
本文首先从网络存在的安全威胁入手,接着介绍了几种常见的安全防范措施,并详细讨论了实现网络安全应采用的策略和相应的机制,最后给出了一个比较合理的网络安全防护模型,该模型采用多种安全技术,能对网络起到好的防护作用。 相似文献
8.
介绍在编制水电工程概算中,利用与基本直接费及人工费有关的综合系数K1、K2值计算设备安装工程单价的简易法,可加快编制概算的速度。 相似文献
9.
使用电脑的人,看屏幕时间长了都会有不同程度的不适。这种隋况除了是由CRT显示器本身的电磁辐射造成的外,还有两个原因:一是显示器在当前的分辨率下为隔行扫描方式;二是屏幕刷新率太低。前者主要由显示器硬件本身决定,无法改变,但后者可以用软件的办法来做些弥 相似文献
10.