激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.     

双折射调谐片的等色图设计方法

一束光振动在入射面内的线偏光以布氏角通过单轴晶体的平行平板时,出射面上光的偏振状态由o、e两光的程差所决定,程差为波长整数倍的那些光波出射后仍为光振动在入射面内的线偏光,即部分量透过率极大。晶片绕其表面法线转动时,部分量透过极大的波长值随之改变,因而可用于激光器的调谐。双折射调谐片中光轴相对表面取向目前一般为18°和25°两种。本文提出用晶体等色图原理来设计双折射调谐片。设计中晶片转动使波长     

Yb,Er,Eu:YAP中红外激光晶体的生长与光谱特性

用提拉法成功生长出3种不同掺Eu3+浓度的优质Yb,Er,Eu:YAP激光晶体,并对其光谱特性进行了研究。测量了晶体在320~3 000nm波段内的吸收光谱,晶体在978nm附近有强的吸收峰和宽的吸收带。用波长为975nm的LD连续激光和OPO光参量脉冲激光激发分别获得了晶体的稳态和瞬态荧光光谱,采用单指数衰减拟合得到2.7~3.0μm激光上下能级寿命。与单掺Er:YAP晶体的光谱参数进行了比较,对Yb3+的敏化及Eu3+的退激活机理进行了分析。结果表明,Yb3+和Eu3+可分别作为Er3+的敏化剂和退激活剂,增宽978nm附近的吸收带和降低激光下能级(4I13/2)与上能级(4I11/2)寿命的比值(4.1,3.1和2.7);而在单掺Er:YAP晶体,下能级与上能级寿命的比值高达10.8,不利于激光性能的提高。因此,Yb,Er,Eu:YAP是一种更适合LD泵浦,有望实现低阈值、2.7~3.0μm高效率激光输出的新型激光晶体。     

最小二乘法计算晶格参数

最小二乘法是求解精确晶格参数的基本方法.讨论了使用和不使用校正函数情形下的科恩最小二乘法,给出了所有晶系的法方程、晶格参数、误差估计的计算公式,以及计算晶格参数、校正函数参数的阻尼最小二乘迭代算法,该方法具有普适性,有大的收敛范围和快的收敛速度.作为应用例子,计算了数个不同晶系晶体的晶格参数,说明最小二乘法是获得高精度晶格参数的计算方法;用阻尼最小二乘法计算了ChuG校正函数的参数,表明该方法是获得校正函数参数的有效方法.     

生长气氛对Ti~（3＋）：Al_2O_3单晶光纤质量的影响

在不同性质的气氛下，用激光加热基座法（ＬＨＰＧ法），生长Ｔｉ３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤。作了显微观察，拍摄了透视照片，同时对其钛离子浓度进行了光谱定量分析．并研究了不同性质的气氛对Ｔｉ３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤的内部缺陷（气泡，散射颗粒等）、外部形貌、钛离子浓度的影响。     

Nd3 :Gd3Ga5O12激光晶体的吸收与发光

测量了用提拉(CZ)法生长的Nd3+Gd3Ga5O12(NdGGG)激光晶体室温时的吸收光谱,其中在806 nm处的吸收系数最大(α＝5.12 cm-1),吸收截面为4.03×10-20 cm2.用806 nm激发分别得到室温和10 K时的荧光光谱和荧光寿命,其中在1.06 μm附近晶体的荧光发射强度最强,2种温度时的峰值发射截面分别为1.7×10-19 cm2和1.9×10-19 cm2.0.6 at%和1.0 at%2种Nd3+掺杂浓度的晶体,室温时的荧光寿命分别为251 μs和240 μs,10 K温度时分别为253 μs和241 μs.与NdYAG晶体的荧光寿命、浓度猝灭效应和发射截面进行了比较,对结果进行了分析与讨论.     

残剩泵光全反馈的钛宝石可调谐激光器

本文引用增益调制的概念指出空间周期性增益的钛宝石可调谐激光器。将钛宝石晶体的后端面取屋脊陵镜形式,所成腔型是四镜折迭驻波腔的一半,泵束Ar~+激光全反射返回形成周期性的增益调制。这种腔可更有效利用泵束能量;钛宝石晶体也可以较短,对于质量不佳的钛宝石晶体可降低阈     

Nd3+:Gd3Ga5O12单晶的能级和晶体场计算

测试了Nd3+:GGG单晶在可见和近红外波段的吸收光谱,并分析指认了它的实验能级,通过从头计算的DV-Xa方法计算得到了它的晶体场参数和旋轨耦合参数。用Nd3+:GGG在77K和300K的156个、88个实验能级,拟合了它的自由离子参数和晶体场参数,均方根误差（即拟合精度）σ分别为15.79和 11.48 cm-1。结果表明晶体场参数的拟合结果和从头计算值符合的很好。最后比较了拟合得到的Nd3+:GGG和已报道Nd3+:YAG 的自由离子参数和晶体场参数。     

Nd:GdNbO4的制备,结构与发光

用高温固相法合成了Nd3+:GdNbO4多晶,确定了它的结构,研究了它的光致发光。Nd3+:GdNbO4是单斜结构,空间群为I2。采用内标法,测定了(1at%)Nd:GdNbO4的晶格参数.用Rietveld精修给出了Nd3+:GdNbO4的原子坐标。在808nm光激发下,观察到925nm、1065nm、1345nm三个发射带,分别来自于Nd3+的4F3/2→4I9/2、4I11/2、4I13/2跃迁,以1065nm处的发射谱带强度最强。分析表明Nd3+在GdNbO4有很强的晶场作用,是一种潜在的新型激光材料。     

钛宝石晶体中的位错以及退火对位错的影响

用化学腐蚀剂腐蚀出样品的 (0 0 0 1)表面上的位错蚀坑 ,在原生态和退火样品的对应径向线上测量了位错腐蚀坑的密度分布 .由位错腐蚀坑的形成理论确定出原生态晶体中很可能有 3种位错类型 ,即Burgers矢量b =13〈112 0〉 ,13〈110 1〉和〈10 10〉的位错线 ,然而长时间在还原性高温气氛中的退火难以降低晶体中的总的位错密度 .在晶体的放肩至等径生长阶段 ,沿着晶体的生长方向 ,晶体棒中心的位错密度由高变低 ,这显示出 :在晶体的放肩至等径生长的转变过程中 ,生长界面发生了翻转 ,由凹形界面转变为凸形界面 ,位错线随之从晶体棒的中心向边缘发散 .