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以粉末冶金法制备了具有屏蔽效能的铝基复合材料,分别以10∶1、15∶1和25∶1挤压比热挤压,并将挤压后的材料进行固溶强化和时效处理.通过对挤压态和T4态(WC+ B4C)p/6063Al复合材料拉伸性能的比较以及SEM、TEM分析,研究了该复合材料的力学性能.结果表明:以15:1挤压比进行热挤压,在520~530℃下固溶强化和时效处理时,该复合材料的力学性能最佳,抗拉强度大于300MPa且伸长率达10%以上;热处理后基体中Mg2Si析出相尺寸和形貌上的变化以及增强颗粒的弥散强化是该复合材料力学性能提升的原因. 相似文献
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开展了FeCo微波吸收材料的研制及其微观结构、磁性能和微波吸收特性的研究,主要是采用机械合金化的方法制备纳米晶Feco固溶体合金粉末,通过电磁参数的调整和改变提高吸收剂的微波吸收性能。研究表明:采用机械合金化制备的Feco合金粉末与常规羰基铁粉相比,饱和磁感应强度提高10%,磁导率和介电常数在一定频率范围大幅度提高;机械合金化制备的Feco合金粉末作为吸波材料的吸收剂,与常规羰基铁粉相比,在质量分数相同的情况下,微波反射率峰值频率向低端移动;FeCo合金型吸波材料在厚度一定的条件下,微波反射率峰值频率随FeCo吸收剂质量分数的提高而降低。 相似文献
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低介电损耗高耐压强度BST介电陶瓷的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了提高钛酸钡基陶瓷的击穿强度及降低介电损耗,用传统粉末冶金法制备了BaxSr1-xTiO3陶瓷(x=1,0.7,0.6,0.5,0.4,0.3,0.2,0.1)。X射线衍射(XRD)分析结果表明,随着x的增加,BaxSr1-xTiO3陶瓷的晶胞体积增大。且在室温条件下(约25℃),当x=1-0.7时其晶体结构为四方相结构,当x=0-0.6时,为立方结构。材料的介电常数及介电损耗随着x的增大而增大;而其频率稳定性则随着x的增大而减小。在Ba0.2S0.8TiO3粉体中以机械混合的方式添加ZnO后,随着ZnO添加量的增加,陶瓷的介电常数、击穿强度都随着增大,而介电损耗则减小,当ZnO的加入量为1.6%(质量分数)时,材料的介电常数和击穿强度达到最大值,而介电损耗最小。 相似文献
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热处理对粉末冶金法制备Wp/2024Al复合材料力学性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
利用粉末冶金法制备了钨颗粒体积分数分别为5%,8%,10%的Wp/2024Al复合材料,挤压态复合材料W颗粒分散均匀,沿挤压方向钨颗粒呈带状分布。复合材料经过热处理后拉伸强度得到提高,延伸率则发生下降;同一工艺制备的Wp/2024Al复合材料480℃固溶时抗拉强度达到最大值;随着固溶温度的升高,复合材料屈服强度有一定的增加,延伸率下降;随着W含量的增加,T4态复合材料的抗拉强度和屈服强度升高,而延伸率下降。断口观察表明,挤压态和热处理态复合材料断口上存在大量韧窝,W颗粒没有发生开裂,热处理态复合材料发生界面脱开现象。 相似文献
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针对10~100 kHz的低频磁场设计了几种屏蔽材料的复合结构,研究不同屏蔽材料对低频磁场的屏蔽效能。结果表明:低频磁场的屏蔽效能主要与材料的磁导率和电导率有关,屏蔽效能随磁场频率的增加而增加;对于不同频率的磁场,通过调整屏蔽材料的复合结构,能够以较低的厚度获得较高屏蔽效能。 相似文献
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采用磁控溅射的方法制备了带有Ni保护层和Zr-Co-Re(Re代表稀土元素)主体层的堆栈层薄膜吸气剂。通过X射线光电子能谱仪(XPS)分析了薄膜吸气剂内部O元素的含量分布,研究了薄膜吸气剂中Ni层的防氧化作用和机理。研究表明:(1)Ni/Zr-CoRe堆栈层薄膜吸气剂在160℃保温3h的条件下可以有效激活,并具有高于Zr-Co-Ni单层薄膜吸气剂的吸气性能;(2)Ni保护层降低了吸气剂的被氧化程度,促进了表面吸附的H2分子的解离和扩散。 相似文献
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铝铜互连线电迁移失效的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
随着大规模集成电路的不断发展,互连线失效已经成为影响集成电路可靠性的主要因素之一.在铝互连线中添加铜元素是常用的改善电迁移性能的方法,采用直流磁控溅射法用铝及铝铜合金靶材在硅基片上沉积了薄膜,并通过光刻、刻蚀制成互连线,通过电迁移加速寿命试验研究了温度和电流密度对Al-Cu互连线电迁移寿命的影响,分析了材料电迁移的热力学过程,推导了Al-Cu互连线的电迁移失效中值时间计算公式. 相似文献