GaAs／Al_0．33Ga_0．67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化

利用高压光致发光方法在液氮温度下和０—３５ｋａｒ的压力范围内对不同层厚的ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格以及具有相近组份的Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料进行了系统的研究．测得Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料的Γ谷和Ｘ谷的压力系数分别为８．６ｍｅＶ／ｋｂａｒ和－．５７ｍｅＶ／ｋｂａｒ．在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类Ｘ态相关的发光峰，从而得到了类Γ态能级和类Ｘ态能级随压力的变化关系．首次获得了有关ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格能带不连续性（包括价带     

Ga_(1-x)Al_xP混晶的长波长光学声子谱

本文报道Ga_(1-x)Al_xP混晶的室温喇曼散射测试结果。所用的样品用液相外延方法生长在〈111〉晶向的GaP衬底上。混晶组分x值在0.16—0.65之间。实验结果表明,Ga_(1-x)Al_xP混晶的长波长光学声子谱呈现双模行为,具有类GaP和类AIP两个光学支。     

In_xGa_(1-x)As/GaAs应变单量子阱结构的静压光致发光研究

在室温和液氮温度下,0-60kbar范围内对In_xGa(1-x)As/GaAs应变单量子阱结构进行了静压光致发光研究.在室温下,量子阱中发光峰随压力的变化是亚线性的,而在液氮温度下是线性的.阱中发光峰的压力系数比GaAs势垒的小约10％左右.发现对应于导带第二子带的发光峰的压力系数略大于第一子带的.此结果与GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱的情况正好相反.     

CdTe/ZnTe应变量子阱的静压光致发光研究

在77K和0—50kbar静压范围内研究了阱宽分别为m=4.8,12个单原子层的(CdTe)_m/(ZnTe)_n应变量子阱的静压光致发光。在常压下,m=8和12的量子阱的发光峰比m=4的量子阱的发光峰显著变宽。表明在这两个阱中应变已发生弛豫。用Kronig-Penney模型计算的峰值能量证实了这一点。在所测静压范围内峰宽无明显增加。它们的压力系数从m=12的6.81meV/kbar增加到m=4的8.24meV/kbar。计算表明,势垒高度随压力增加而增加是使压力系数随阱宽减小而增加的主要原因。     

Ga_(1-x)Al_xAs和GaAs_(1-x)P_x混晶的长波长光学声子谱

本文报道Ga_(1-x)Al_xA_o和GaAs_(1-x)P_x混合晶体系统的拉曼光谱的测量结果.证实两种材料都呈现典型的“双模”行为.从拉曼光谱的测量结果得到了长波长光学声子模频随组分的变化关系.在修正的等位移模型的基础上,提出一种简化模型:忽略次邻力的作用,仅考虑近邻力和极化场的作用,并假设近邻力常数随组分线性变化.没有任何调节参数,计算了长波长光学声子模频的组分关系.计算结果和实验符合较好.     

GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究

在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(Ⅰ类超晶格)和类X态能级(Ⅱ类超晶格)两种情况下都得到了类Γ态能级与类X态能级差随层厚的变化。首次直接观察到室温、常压下(GaAs)_(11)(AlAs)_(11)超晶格中类Γ态能级与类X态能级发生交叉。从发光峰的强度随压力的变化求得室温下在类Γ态能级与类X态能级恰好交叉的压力下类X态电子和类Γ态电子到价带空穴的跃迁几率之比从(GaAs)_(17)(AlAs)_(17)的1.4×10~(-4)逐渐增加到(GaAs)_6(AlAs)_6的4.6×10~(-3)。表明类Γ态和类X态间的混合较弱。对实验结果进行了简短的讨论。     

［（Cdse）_m（ZnSe）_n］_p－Znse多量子阱中的多声子散射

对用原子层外延方法，在［００１］晶向ＧａＡｓ衬底上生长的［（Ｃｄｓｅ）ｍ（Ｚｎｓｅ）ｎ］ｐ－ＺｎＳｅ应变量子阱结构，在１０～３００Ｋ温度范围内测量了喇曼散射光谱，观察到两种类ＺｎＳｅＬＯ声子限制模．利用改变样品温度和入射光能量实现了共振喇曼散射，观察到高达７阶的类ＺｎＳｅＬＯ声子模．并讨论了多声子喇曼散射和热萤光过程的区别．     

管磨机中空轴烧蚀分析及焊补修复

磨机中空轴局部烧蚀后不拆卸中空轴,又能保证中空轴修复后强度质量要求,满足磨机运转工况的修理方法,是众多管磨机使用厂家正在摸索的。笔者通过长期实践分析了磨机中空轴局部烧蚀区的形成过程、材料性能,确定了中空轴局部烧蚀区焊补修复的工艺材料和技术措施。修复后...     

ZnSe-ZnTe应变层超晶格的Raman光谱研究

本文报道室温下的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体化合物 ZuSe-ZnTe应变层超晶格的 Raman光谱,得到纵光学声子频移和超晶格结构参数的关系.当超晶格每层厚度大于40A时,纵光学声子模频移随层厚变化不明显,基本稳定在一定值;当层厚小于40A时,纵光学声子模频率随层厚减小而相对其体材料值的变化越来越大,并且应力效应引起的频移比限制效应引起的红移要大得多.ZnSe纵光学声子模频率随层厚减小向低波数移动,ZnTe纵光学声子模频率向高波数移动.从Raman光谱估计这种应变层超晶格的临界厚度约为40A.