FLOTOX型EEPROM存贮管的擦写特性与理论分析

制备了几种PLOTOX结构EEPROM存贮管,对其擦写过程作了测试分析.讨论了擦写时存贮管电容分压的物理模型,实验测量通过超薄氧化层的Fowler-Nordheim隧道电流,推导出在擦写过程中浮栅上存贮电荷量的计算公式.研究了存贮管的阈值电压,特别指出它不仅与浮栅上积累电荷有关,而且与测量时的漏电压有关,建立了存贮管阈值电压的计算公式.最后,介绍了实验结果并作讨论,指出有关公式可作为设计EEPROM存贮单元的基础.     

RTP改善超薄SiO2膜特性的研究

超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容，ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中介栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ＾２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可以看出具有实有价值。     

关于NO氮化SiO2超薄栅介质膜的研究

研究了采用ＮＯ快速热氮ＳｉＯ２ 方法制备超薄栅介质并初步制备出约５ｎｍ超薄栅的ＭＯＳ电容和约６ｎｍ超薄 ＮＭＯＳＦＥＴ,ＮＯ氮化改善了超薄ＳｉＯ２膜的性能。     

快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究

本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN SiO_2膜的成份和结构。与同厚SiO_2膜相比,RTN SiO_2膜具有许多明显的优点,在同样条件下,当电场强度E≈1.5×10~7V/cm时,击穿时间t_(bd)比SiO_2的约高两个量级;在经过剂量高达10~7rad的Co~(60)辐照后,SiO_2膜的界面态密度及漏电流均增大1—2个量级,而RTN SiO_2膜的变化非常小。     

FLOTOX—E^2PROM阈值电压的研究

本文讨论了理想情况下ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ＾２ＰＲＯＭ在斜坡脉冲作用下的阈值电压变化，并对隧道氧化层中存在净电荷时的情况作了讨论。模拟结果表明适当的斜坡脉冲电压可处ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ＾２ＰＲＯＭ的寿命。     

氮化后退火——一种提高超薄热氮化SiO_2膜性能的有效方法

本文对超薄热氮化SiO_2膜(～100A)进行了研究,提出一种氮化后退火的新工艺,所得薄膜有很好的抗氧化特性,和SiO_2薄膜相比,其固定电荷及界面态密度相当,在高电场应力下膜中产生的正电荷及电子陷阱较少,较好的电击穿特性,抗辐射性能有很大的改善,因而,是一种性能优良的超薄介质膜.     

用于ULSI电路的超薄栅介质膜研究

制备出６～７ｎｍ超薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ。通过对器件性能的研究发现，适当条件下Ｎ２Ｏ制备的超薄ＳｉＯｘＮｙ膜比ＳｉＯ２膜更适合ＵＬＳＩ的应用。     

超薄栅介质膜生长前硅表面处理的研究

在超薄栅介质膜的制备技术中，膜生成前，用稀ＨＦ酸进行表面处理，能使生成的超薄膜均匀性、完整性提高，从而使膜的击穿、漏电得到改善。     

氮化后退火——一种提高超薄热氮化SiO_2 膜性能的有效方法

本文对超薄热氮化SiO_2膜(～100A)进行了研究,提出一种氮化后退火的新工艺,所得薄膜有很好的抗氧化特性,和SiO_2薄膜相比,其固定电荷及界面态密度相当,在高电场应力下膜中产生的正电荷及电子陷阱较少,较好的电击穿特性,抗辐射性能有很大的改善,因而,是一种性能优良的超薄介质膜.