面向三维集成的等离子体活化键合研究进展

三维集成技术已成为促使半导体芯片步入后摩尔时代的重要支撑。晶圆直接键合技术无需微凸点和底充胶填充工艺,依靠原子间相互作用力即可实现高密度与高强度互连,是三维集成发展的重要研究方向之一。其中等离子体活化作为一种高效的表面处理手段,是晶圆低温键合的关键。针对等离子体活化低温键合技术在半导体芯片同质或异质键合中的研究进展进行了综述,主要介绍了等离子体活化在硅基材料直接键合及金属-介质混合键合中的作用机理和键合效果,进而对该技术的未来发展趋势进行了展望。