低温热致变色VO2薄膜的制备及应用

提出了一种制备低温热致变色VO2新型薄膜材料的工艺方法。在玻璃基底的Si3N4薄膜上溅射沉积VOx薄膜，再经还原性气氛退火，最终得到了nm量级的VO2颗粒。四探针测试电阻温度关系表明，该类材料相变温度已经靠近室温。不同温度下测试的红外透过曲线表明，该材料在相变前后有良好的红外开关特性，能够在智能窗等各类光电产品中获得应用。     

GaN基LED图形衬底的性能研究

蓝宝石图形衬底可以降低外延位错密度并增强背散射光, 已经成为制备高亮LED有效技术手段。本研究运用时域有限差分(FDTD)法模拟和比较了GaN基微纳米图形衬底LED几种衬底图形结构对光的提取效率的影响。模拟结果显示纳米图形衬底(NPSS)对光效的提高明显优于微米图形衬底(MPSS)。在对圆柱、圆孔、圆台、圆锥和曲面锥等纳米结构的研究中, 圆台柱结构的纳米图形衬底对光提取效果最好。通过进一步模拟优化, 得到圆台结构的最佳参数, 此时相对于普通衬底LED光的提取效率提高了96.6%。试验中, 采用软模压印技术在蓝宝石基片上大面积制备出纳米圆台图形衬底, 并测得外延生长GaN层后的外延片的PL强度增加了8倍, 可见纳米图形衬底对提高LED的出光效率有显著效果。     

铝镁尖晶石碳钢包砖的研制及应用

在高铝质的基质中,添加适量MgO粉及碳素材料,研制出的铝镁尖晶石碳钢包砖,具有良好的使用性能,在二钢70t钢包上使用,取得了预期效果．     

新型VO_2相变薄膜的制备

采用离子束溅射和退火工艺制备了一种新的相变型薄膜VO2。此种薄膜的方块电阻为120～148kΩ,电阻-温度关系曲线显示该薄膜的相变温度接近室温。SEM分析表明,所制备的薄膜致密均匀。样品的明场透射电子显微图像显示,制备的薄膜是多晶薄膜,晶粒尺寸达到纳米数量级。XRD分析表明,该薄膜的成分中除了含有VO2外,还含有V2O5,说明该工艺制备的是含有VO2的混合物,而不是纯VO2薄膜。     

基于分光光度法的水质氨氮检测系统设计

设计了一种基于纳氏试剂分光光度法的水质氨氮检测系统,阐述了系统的工作原理和总体设计,下位机数据采集系统采用硅光电二极管作为光电探测器,AVR单片机作为微控制器,上位机软件负责仪器的操作、数据显示和存储。经测试,系统工作稳定,界面友好,达到了设计要求,和其他同类设备相比有效降低了成本。     

一种最佳树深约化策略

就多项式在ＳＩＳＤ和ＭＩＭＤ机上的不同表达方式作了探讨，提出了一个能够在一般工中找出最佳约化树的树深约化算法。     

确保设备高效运行的几个关键环节

企业的经营效益与设备的高效运转是分不开的，人员素质、设备检验，设备管理，设备维修是其中的几个关键环节。     

BaTiO3铁电薄膜的光致发光研究

以分析纯的乙酸钡和钛酸正四丁酯为前躯体溶液,冰乙酸为溶剂,乙酰丙酮为稳定剂,采用溶胶-凝胶法在硅基上制备了钛酸钡(BaTiO3)铁电薄膜.研究了BaTiO3铁电薄膜的光致发光性能.结果表明,室温下非晶态的BaTiO3铁电薄膜在蓝光激发下具有很强的光致发光现象.其中,经8h 673K退火处理的非晶BaTiO3铁电薄膜的光致发光性能最佳,当455nm光激发时,非晶薄膜在540～660nm内发出强烈的黄光,峰值波长为580～610nm,峰宽约30nm,发光强度随薄膜的厚度增加而增强.晶态BaTiO3铁电薄膜无任何发光现象.     

基于SOPC的VGA显示技术的研究

介绍了基于SOPC技术的图像显示系统。存储在SRAM中的图像数据经过DMA通道高速传输到VGA控制器,然后由VGA控制器产生时序在VGA显示器上显示。整个系统由一片Mtera公司的FPGA芯片EP1C20以及外围的存储器和接口电路构成。实验表明,采用SOPC技术构建的VGA显示系统体积小、功耗低、可靠性强。     

基于FPGA的CCD光积分时间大范围实时自调节系统

为了提高系统的自适应性、探测能力及测量精度,常常需要系统能根据待测光照强度自动实时大范围地调节电荷耦合器件(CCD)光积分时间.在分析了TCD1304AP型线阵CCD的特性、工作过程与驱动时序的基础上,设计了基于现场可编程逻辑门阵列(FPGA)控制的CCD光积分时间大范围实时自适应调节系统.研究分析了光积分时间计算算法,选用EP1C20F400C8作为硬件载体,使用Verilog语言对算法及CCD驱动时序进行了硬件描述;采用QuartusII软件对设计进行编译、综合,并用Modelsim进行了前后仿真;用自然光与LED光源对整个设计进行了实际测试.测试结果表明系统光积分时间调节范围在10μs～10 s以上,最小调节时间精度为0.25 μs,完全可以满足光积分时间的大范围实时自动无极调节.