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本文报道了为确定CMOS/SOS辐照加固16K存储器中临界电荷Q_c与特征尺寸(沟道长度L)的依赖关系所作的实验尝试。单击事件扰动(SEU)实验是在加州大学伯克利分校的伯克利88英寸回旋加速器上分别使用138MeV的氪离子和85MeV的氩离子进行的。两种离子的LET值(线性能量传输)为40和18.3MeV—cm~2/mg。随后的第二次实验是在奥克里季大学的范德格拉夫直线加速器上进行的。LET值为88MeV—cm~2/mg的591MeV金离子用于试验从伯克利大学实验的同一组中所取的样品。结果表明:Q_cαL~(1.6±0.2) 相似文献
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作者研究了在辐射加固的Si器件中用于Si表面钝化的双层介质膜。与称为双层SiO_2膜的CVD-SiO_2/SiO_2膜相比,Si_3N_4/SiO_2和PSG/SiO_2双层介质膜表现出对电离辐射具有较低的灵敏度。然面,Si_3N_4/SiO_2和PSG/S_1O_2膜比双层SiO_2膜表现出大得多的初始界面态密度。作者还研究了后氧化退火对辐射引起的界面态的影响。采用了双层SiO_2膜来实现辐射容限大于1兆拉德(硅)的IIL器件。 相似文献
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