铁磁半导体简介

本文介绍铬硫属化合物尖晶石类型的铁磁半导体的制造方法、和它们的晶体性能、磁性能、电迁移性能。在一类物质中既有铁磁性又有半导电性,这是人们长期以来寻求的的材料。在铬疏属化合物中还存在着强的电—光—磁的交叉作用。铁磁半导体的出现将激励器件设计工作者去进行新型器件的设计,既利用材料的铁磁性,又用材料的半导体特性,还利用材料的电——光——磁的交叉作用。     

含Mg,W高温合金γ′相的电子结构

本文用实空间格林函数递推方法,计算了含杂质Mg,W的γ′-Ni_3Al相的电子结构,结果表明,Mg和W原子进入γ′相后都失去部分外层电子,使得原子半径减小,从而有利于杂质以替代方式进入γ′相;Mg和W原子同时进入γ′相,使Mg与γ′基体之间的相互作用增强,有利于γ′相产生稳定结构。     

Nd—Fe—B原子团电子结构

采用自洽场多里散射波Xα方法计算了Nd2Fe(14)B永磁体中Nd3Fe6B结构单元的电子结构,给出了能谱、Hellmann－Feynman力以及电场梯度,讨论了轨道间相互作用及Hellmann-Feynman和电场梯度与各向异性的关系,着重指出硼原子的作用机制。     

P,N影响Fe晶界结合的第一原理研究

本文利用第一原理离散变分方法,计算了轻杂质Ｐ、Ｎ在体心ＦｅΣ３（１１０）（１１１）晶界和Ｆｅ（１１１）表面的偏聚能,从能量方面对Ｐ、Ｎ的韧脆机制进行了探讨。结果表明,Ｐ在晶界上的偏聚能比表面上更高,更有利于偏聚在表面而非晶界,而Ｎ则相反。因此,Ｐ为脆性杂质,Ｎ为韧性杂质,此结果与实验观察相符,还分析了造成这一结果的化学因素和力学因素的影响,指出了在计算中对原子结构进行弛豫的必要性。     

多层次-跨尺度物理中并行DVM-DAC算法

多尺度现象及相关理论方法是复杂物质系统研究中重要的科学问题.单一的量子力学或分子动力学方法无法解释多尺度体系中存在的现象.第一原理离散变分线性标度（DVM-DAC）算法是一种有效的大尺度体系计算方法.它采用分而治之方案,获得了O（n）的计算复杂性.但由于需要求解大量的特征方程,实现中存在严重的计算瓶颈.发展了一种并行DVM-DAC算法并付诸实现,有效地解决了原有算法的计算瓶颈问题.测试结果表明,并行DVM-DAC算法具有很好的可扩展性,并成功完成104碳纳米管原子体系的计算,为多尺度体系研究提供重要工具.     

增压器涡轮转／静交界面处理方法的影响分析

使用NUMECA流场计算软件,研究了采用混合面方法、转子冻结方法和非定常方法处理转／静交界面对汽车用涡轮增压器向心涡轮流场计算结果的影响。结果表明：不同交界面处理方法对下游转子流场影响不大．但对交界面两测总温、总压的守恒有较大影响;对于向心涡轮的计算,混合面方法的计算精度较差,转子冻结方法能够达到非定常方法的精度水平,而且计算时间相对较少。     

过渡金属Ni的电子结构及原子间相互作用势

本文从体系总能量出发,导出一个表征原子间相互作用能的解析形式,同时基于以键序形式表达的格林函数非对角元,利用递推方法给出了原子间相互作用能的数值结果,由此用多项式线性回归并结合参数拟合确定了原子间相互作用势的表达式。与键序积分计算相配合,计算了金属Ni的电子结构,给出了随晶格常数变化态密度谱、带宽、费米能级及带结构能的变化规律和特征。     

快淬MmNi_(3.5)Co_(0.75)Mn_(0.55)Al_(0.2)合金的电化学性能

应用不同的快淬速度制取成分为ＭｍＮｉ３．５Ｃｏ０．７５Ｍｎ０．５５Ａｌ０．２的贮氢合金，并做了电化学充放电循环实验，比较了它们的电化学活化速度、放电容量、放电电压性能以及电化学循环稳定性。冷却速度越高，合金的电化学循环稳定性越好、放电电压平台越平坦，放电电压也稍高，但导致放电容量下降，初期活化困难。     

影响贮氢合金电化学性能测试结果的因素——循环次数和充放电制度

较系统地研究了循环次数和充放电制度对贮氢合金电极片的电化学行为产生的影响以及测试时应注意的问题,如测量贮氢合金的放电容量和电压特性一般应在第２５次～３０次循环左右进行、以充放电次数表达的活化速度需注明充放电制度以及测量大电流放电特性应避开小电流放电后的最近几次循环等。     

金属缺陷能量学基础及掺杂晶界电子结构

本文综述了我们发展建立的第一原理原子间相互作用势及原子间相互作用能的理论计算方法；同时报告了在金属缺陷、掺杂晶界电子结构及晶体基本性质的研究中，能量函数作为理论基础的重要应用。另一方面，基于第一原理及Ｇｒｅｅｎ函数方法，研究了具有重要应用潜势的金属间化合物的电子结构及掺杂效应，揭示了杂质－晶界复合的量子效应及其与合金特性及位错反应的相关机制；指出Ｂ、Ｎ等元素具有强化晶界作用，Ｐ，Ｓ为脆化元素。Ｍｎ