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笔者在为某企业研制的单片机橡胶硫化过程控制系统中,使用了某厂生产的DDZ-Ⅲ型电动调节阀,在系统调试过程中,出现了一个特殊问题,一度影响了调试进度,几经周折才使问题得以解决。现撰文将该问题的处理方法介绍给大家,供借鉴。 相似文献
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运用了系统分析的方法分析研究液压安全联轴器这一新型关结和过载保护双重功能的通用基础部件。并对其工作原理,性能作了论述,分析推导了有关计算公式,通过动载,静载试验研究,使之标准化和系列化。 相似文献
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Clipper是美国Nantucket公司推出的编译型数据库管理系统,由于Clipper系统的命令和函数为DBASE Ⅲ PLUS的超集,因此,DBASE和FOXBASE用户只需稍加学习,即可掌握Clipper,享用Clipper特有的各种优异功能。 Clipper具有的自定义函数功能,为管理信息系统(MIS)的程序设计提供了方便,本文介绍一种基于Clipper5.2实现彩色立体投影窗口的自定义函数,供有关读者在设计MIS用户界面时参考。 相似文献
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采用热丝化学气相淀积生长法,在Si衬底上外延生长3C-SiC薄层获得成功,生成源为CH4+SiH4+H2混合气体,热丝温度约为1800-2000℃,碳化和生长时底温度低于1000℃,用X射线衍射,变角椭偏法等分析手段研究了外延层的晶体结构和光学常数,X射线衍射结果显示出3C-SiC薄层的外延生长特征,变角椭偏法测量出外延层的折射率为2.686,光不常数随深度变化曲线表明薄层结构分布衬底晶向有关。 相似文献
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采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以较低生长温度,在Si(111)和Si(100)衬底上同时外延生长3C-SiC获得成功.生长源气为CH4+SiH4+H2混合气体,热丝温度约为2000℃,碳化和生长时基座温度分别为950℃和920℃,用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化.XRD结果显示出3C-SiC薄层的外延生长特征,XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为Si和C,且Si/C原子比符合SiC的理想化学计量比,其三维能谱曲线进一步证明了外延层中Si2p和与Cls成键形成具有闪锌矿结构的3C-SiC. 相似文献
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文章介绍了AT89C2051单片机与字符型LCD的两个接口电路实例,并给出了具体的硬件电路和程序清单。 相似文献
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PROTEL软件是非常流行的电子线路CAD软件包,用其可方便地进行电路原理图和印刷电路板的设计。由于PROTEL属于西文软件,故不能直接在绘图时使用汉字,为了能在软件中使用汉字,通常可以将每个汉字看成是一个电路元件(下称汉字元件),建立起PROTEL能够接受的汉字元件库,其汉字元件可供绘图时作为电路元件来调用,从而解决了PROTEL软件汉字标注的问题。 相似文献