SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展

回顾了SiC单晶的发展历史，总结了目前的发展状况，同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺，最后介绍了SiC单晶的加工技术. 通过模拟计算与具体实验相结合的方法，调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场. 近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展，进而有利于减少缺陷提高晶体的质量. 由于SiC硬度非常高，对单晶后续的加工造成很多困难，包括切割和磨抛. 研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体，可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片；采用化学机械抛光法，可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层，加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm.     

五磷酸镨晶体喇曼光谱的研究

本文首次报道了五磷酸镨晶体的喇曼光谱,研究了喇曼谱随温度变化情况,以软模变化研究了该晶体的铁弹相变.并观察了不同组分五磷酸镧镨晶体在不同温度下的喇曼谱.     

NdAl_3(BO_3)_4晶体生长和性质

本文讨论了以 K_2Mo_3O_(10)为主的助熔剂、用籽晶转动法生长 NdAl_3(BO_3)_4晶体的条件和工艺。生长出长4 cm、两端透明区为1.2cm的晶体。测量了理化性质和光谱。观测了小氙灯泵浦NdAl_3-(BO_3)_4晶体的脉冲激光特性,并与NdP_4O_(14)晶体进行了比较。     

SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展

回顾了SiC单晶的发展历史,总结了目前的发展状况,同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺,最后介绍了SiC单晶的加工技术.通过模拟计算与具体实验相结合的方法,调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场.近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展,进而有利于减少缺陷提高晶体的质量.由于SiC硬度非常高,对单晶后续的加工造成很多困难,包括切割和磨抛.研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体,可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片;采用化学机械抛光法,可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层,加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm.     

大口径YCOB晶体的提拉法生长

采用提拉法成功生长了大尺寸高质量的Ca4YO(BO3)3(YCOB)晶体,尺寸达到φ110×90mm3,为目前文献所报道的最大尺寸.有效的解决了YCOB晶体生长过程中经常出现的开裂、螺旋生长等现象.在所生长的YCOB晶体基础上,加工了尺寸为80mm× 80mm× 15mm的晶片用于进一步的实验.     

单轴弛豫铁电Ca0.28Ba0.72Nb2O6单晶中的无公度调制、电畴结构及其演变

Ca0.28Ba0.72Nb2O6(CBN-28)single crystals of the tetragonal tungsten bronze(TTB)structure possesses quite similar optical properties like Srl-xBaxNb2O6 (SBN),and its Curie temperature is about 200 K higher than the corresponding temperature of SBN-61[1,2],suggesting that CBN is attractive for potential applications at higher temperatures.     

KTN：Fe自泵浦位相共轭特性及其不同机制的转换

ＫＴＮ：Ｆｅ自泵浦位相共轭特性及其不同机制的转换廉英武，高宏，窦硕星，叶佩弦（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）管庆才，王继杨（山东大学晶体所，济南２５０１００）自泵浦相位共轭是光折变材料最重要的效应之一，在光信息处理、光通信和激光器件等方面有...