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1.
主要分析了S3C2410芯片及它相应的外部中断程序。首先介绍了S3C2410的中断原理,引出相关中断寄存器,然后介绍了这些寄存器的功能。针对这些寄存器的功能,详细阐述了如何设置中断寄存器的模式。在简要介绍用户空间和内核空间之后,设计了一个简单的中断程序。实验结果证明,在开发板上中断程序是快速响应的。  相似文献   
2.
压电厚膜的研究现状及趋势   总被引:1,自引:0,他引:1  
随着电子元器件向小型、高灵敏、集成、多功能化方向发展,薄/厚膜材料及器件逐渐成为研究的重点.由于压电厚膜(10~100μm)兼具有压电陶瓷与压电薄膜的优点,是各种微型传感器和执行器的核心部分,已引起世界各国研究者极大的兴趣,但是大多数研究还处于实验阶段.评述了压电厚膜的制备方法、测试表征以及应用状况,归纳了压电厚膜研究的现状及发展趋势,指出了其中存在的问题及解决办法,并对压电厚膜今后的研究提出了一些建议.  相似文献   
3.
从“五·一”开始,中国的职工正式告别了旧工时制,同世界大多数国家一样,实现了每周40个小时工作制。5天工作制所带来的高效率、快节奏,犹如一支新的曲谱,奏响城市居民生活消费的新旋律。  相似文献   
4.
嵌入式系统启动软件Bootloader的设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
详细介绍Bootloader的操作模式以及其与主机之间的通信,说明Bootloader的两阶段任务——汇编语言编写的固化代码执行部分和C语言编写的基于RAM执行部分,并通过对Blob源代码的分析,介绍Blob所实现的功能,并找出其中的规律和原理,从而对Bootloader有更深刻的理解,并且能够使得Bootloader运行于各种不同的硬件平台。实际应用中已经完成了对系统的修改。  相似文献   
5.
特征检测是传感器网络中一种常用的入侵检测手段,针对入侵检测是否有效,在很大程度上取决于IDS模块的布置.现有IDS模块布置策略可能出现汇聚节点被淹没、网络资源利用率低、以及检测效率低等问题.为了提高检测精度,提出IDS优化布置算法,根据图论中最小割集和最小支配集的概念,把入侵检测模块布置在最小割集的传感器节点上,并通过图论中的最大流来实现最小割集的求解问题.最后通过仿真论证,根据特征检测的 IDS布置算法进行仿真.结果表明,与随机布置算法相比,优化布置算法不仅提高检测率,具有良好的收敛性,而且使网络资源的利用效率也大为提高.  相似文献   
6.
针对SENMA的访问,把物理层的特征和媒体接入控制结合起来,提出了一种基于直接序列扩频网络的机会型ALOHA(O-ALOHA)协议,用其实现SENMA的媒体接入控制。该传输控制在吞吐量方面具有良好的性能,最主要特点在于它是一种常规类别传输控制的较优方案,接收模型考虑了多数据包的接收。仿真表明,这种机会型ALOHA协议可用于多种传感器网络的应用场合,能够向采集代理进行可靠的数据传输。  相似文献   
7.
误码测试仪是检测通信系统可靠性的重要设备。传统的误码测试仪基于CPLD和CPU协同工作,不仅结构复杂,价格昂贵,而且不方便携带。基于FPGA的高速误码测试仪,采用FPGA来完成控制和测试模块的一体化设计,提高了系统功能扩展性和系统的集成度,使得各个功能模块在不改动硬件电路的情况下可以相应变化。在发送端发送m序列作为测试数据,其测试速率最高可达到155 Mb/s。由于将物理层上的各协议层的功能集中到FPGA内部实现,减少了硬件和软件的设计复杂度,并且缩短了系统的开发的周期,具有可升级的特点。  相似文献   
8.
目前压电振动能量收集成为微能量领域的研究热点.由于收集的能量较小,因此需要储能器件把收集的能量存储起来以便为电子元件供电.比较了常用的储能器件,包括电阻、电解电容器、超级电容器和可充电电池.研究了这些器件的充放电特性和应用状况,比较了这些器件的优缺点,结果发现,超级电容器可在低压状态下为电子元件有效供电,适合在压电能量收集中推广应用.  相似文献   
9.
介绍了当前测量薄/厚压电参数的2大类方法:直接测量法(包括Berlincourt法、圆片弯曲技术、激光干涉法、扫描激光多普勒振动法、原子力显微镜法)和间接测量法(包括体声波响应和表面声波响应法、复合谐振法).详细分析了这些方法的基本原理、测试表征、应用状况和存在的问题,比较了这些方法的优缺点.结果表明,高分辨率的双束激光干涉和表面扫描振动相结合的方法将是评估压电参数方便、准确和可靠的方法,有望成为将来表征薄/厚膜压电特性的标准方法.  相似文献   
10.
通过有限元分析软件ANSYS对压电单晶悬臂梁进行仿真分析,再经实验,研究了基板材质、粘结胶、激振力加速度和激振频率对输出电压的影响.结果表明,弹性模量较大的基板能提高输出电压,采用不导电胶比导电胶的输出电压大;压电悬臂梁对激振频率有很好的选择性,当频率为33 Hz时,输出电压为25.3 V;这有助于优化器件结构,设计出...  相似文献   
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