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1.
本文介绍了用全密封直拉(FEC)法与掺杂等价元素 In 相结合生长无位错 GaAs 单晶。实验表明可以成功地获得直径为25～30mm 的无位错半绝缘GaAs 单晶。从籽晶沿〈100〉轴直接传播下来的位错只有几百个。采用 FEC 方法的关键主要是因为减少了晶体表面 As 元素的挥发。用这个方法也能拉制直径为 50mm 的几乎无位错的单晶。 相似文献
2.
本文的目的是:第一部分研究亚微米器件中可能发生的一些新的输运现象;第二部分提出并描述了考虑这些输运现象的新的模拟方法。 相似文献
3.
我们研究了磁场强度对诸如C/GaAs、In/GaAs、Fe/GaAs晶体的杂质分布以及对LEC GaAs、InP单晶的原生缺陷、半绝缘特性的影响。根据这些结果,以数字模拟为基础,我们采用程控磁场LEC技术论证了沿生长轴向杂质分布的可控性。 相似文献
5.
我们报导了采用氯化物VPE首次成功地生长出选择掺杂In_(0.53)Ga_(0.47)As-InP异质结,并观察到二维电子气(TDEG)在4.2K时,其最大电子迁移率为106000cm~2V~(-1)s~(-1)。 相似文献
6.
采用离子注入的金属有机化学汽相淀积(MOCVD)缓冲层制作了低噪声GaAs金属-半导体场效应晶体管(MESFET)。在12GHz下,0.5μm(栅长)×300μm(栅宽)的FET器件的噪声系数可达1.46dB,相关增益达到10.20dB。此结果证明,采用离子注入MOCVD缓冲层能制成极好的GaAs LNFET,它可以与采用AsCl_3汽相外延和分子束外延制作的类似器件所得的最佳结果相比拟。 相似文献
7.
长途干线远程通信系统，特别是海底光缆系统尤其需要可靠性。本文描述了通过低限度地减小众周周知的退化损伤而被用作这种单模系统光源的InGaAsP倒置肋波导（IRW）激光器是怎样设计的。本文归纳了大量可靠性保证程序的，在七百万小时寿命这后得到的结论证实IRW激光器的可靠性性能非常良好。现在这种器件正广泛地用于陆地通信线路系统，并首先用于英国比利时之间的海底光缆系统。 相似文献
8.
研制成一种起横向注入激光器作用的GaAs/AlGaAs双异质结双极晶体管(DHBT)。DHBT的外延层用金属有机物汽相外延法(MOVPE)生长。实验揭示室温下晶体管的电流增益大约是10,脉冲光激射阈值为230mA。 相似文献
9.
采用光化学工艺,可以选择形成一种特殊原子团或离子而不产生缺陷,即使在低温下也能促使完全反应。讨论了光化学工艺的主要优点,并强调它在晶体生长过程中的重要性。已证明光化学对 GaAs 外延生长层的影响。用一种激发激光照射能增加生长速率。 相似文献
10.
芯片载体和引线网阵列是用于LSI和VLSI的两种基本的封装类型。这两种封装方法各有其优点和缺点,这在特殊的电子系统和生产组织系统的分析中都必须加以考虑。 相似文献