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利用电子波在阱与垒的界面上的反射及干涉效应,计算了量子阱红外探测器(QWIP)的能带结构,并对其适用性进行了分析和讨论。通过与K-P模型比较发现,本方法对计算较宽势阱(阱宽大于4nm)的量子阱结构的电子态适合。在垒宽和阱宽不变条件下,用两种方法计算得到的AlGaAs/GaAs量子阱材料中Al组分x与吸收峰值波长λp的关系曲线基本相同。结果说明,在较宽的范围内,本方法对QWIP能带结构的计算是适用且简便的。 相似文献
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基于电子波干涉红外探测器的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
电子波干涉法是一种新的量子阱探测器能带结构计算方法,该方法是基于电子波在量子阱界面的反射和干涉效应提出的。利用电子波干涉法,设计了一种新型的宽带量子阱红外探测器。对这种探测器的能带结构进行了计算,分析了这种新型探测器的响应带宽和暗电流特性。理论计算表明:电子在干涉形成的分离能级间跃迁可形成多个响应带,这些响应带之间相互交叠可实现宽带响应;器件的暗电流在微安量级且随温度的变化不大。共振隧穿电流随温度的变化较小,是暗电流的主要组成部分;而热离子激发电流随温度的变化较大,但对暗电流的影响不大。 相似文献
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对MOCVD生长的GaAs(40A)/AlxGa1-xAs(300A)多量子阱结构观察到阱内电子从基态到第一激态跃迁引起的红外吸收。用Bruker红外光谱仪测量,发现了一个峰值在986cm^-1(10.1μm)带宽为237cm^-1(9~11.5μm)的强吸收峰,该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致。 相似文献
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调制掺杂Al0.27Ga0.73As/GaAs多量子阱结构的光致发光 总被引:2,自引:0,他引:2
在调制掺杂(Si)Al0.27Ga0.73As/GaAs多量子阱结构的光致发光谱中,观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰.强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合,即激子复合形成的,其低温发光线形可用Voigt函数拟合.低能弱峰是势垒层Al0.27Ga0.73As中DX中心能级上的电子跃迁到SiAs原子而引起,由此确定DX中心有四个能级,其激活能分别为0.35、037、0.39、0.41eV 相似文献
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在室温下测量了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的红外吸收,观察到在706、770、1046、1282和1653cm-1处的几个吸收峰.认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关,理论计算的吸收峰位置与实验结果很一致. 相似文献
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一种新的掺稀土元素钇(Y)的a-Si:H 材料已被研制出来。该材料的电导率随掺 Y浓度而改变,当掺 Y 浓度约10~(2)时,a-Si:H(Y)的室温直流电导率达到10一~(-1)Ω~(-1)cm~(-1)较 a-Si:H 合金提高八个数量级。测量表明这种 a-Si:H(Y)新材料是 n 型的。对因掺杂浓 相似文献