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1.
CMOSIC长期可靠性试验数据处理统计一览表 l_。。_,_I、。、.I_I、。-.__1_。。_lopl% 信 $ M 606 i+ HI D电路型号I 试 验I参D试验累积【元器件1计D—’“”—””””’一D 11 fgr 厂“一IIRI G1丁”9I25℃下失效@l Gr’xu”gJ 工ZI’’小二纂l l___185D士Ztl 11 11_____1。__。_I IC45201 7二二二二7if。。。。。。l_。_1.l。。。。、。-。。。_、^-,135200 17605631 l一X“-IVll一!2V122I32001704001!IZ.84010”IS.68X10”l C二\5;;二$v\【 IUI.;Jr:’。Ir-l-l‘”””””’-“--”—”””-;《4W)(20lop)l I”i…  相似文献   
2.
文中介绍了IC、分立器件、电阻、电阻网络及电容器的工作失效率模型。给出了KJ系列及几种运算放大器长期可靠性试验结果,经数据处理得出了重要的可靠性参数失效率λ_((t))、平均寿命等。  相似文献   
3.
前几篇论文中,曾对我厂多年来生产的IC进行了长达七千多小时的可靠性试验。经数据处理得出了重要的可靠性参数失效率λ、平均寿命等。可以看出我厂生产的IC可靠性已达到了较高水平。这里,再对若干电路进行了失效率的预测研究,得出的失效率λ值与试验数据处理得出的失效率λ值相比较,均在同一数量级。证明此方法可省人力、物力和财力,既能提供可靠信息,又可为厂增加经济效益。  相似文献   
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